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1. (WO2012108887) MICRON-GAP THERMAL PHOTOVOLTAIC LARGE SCALE SUB-MICRON GAP METHOD AND APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108887    International Application No.:    PCT/US2011/026544
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 28.02.2011
IPC:
H01L 35/00 (2006.01)
Applicants: MTPV POWER CORPORATION [US/US]; 13915 Burnet Road Suite 420 Austin, TX 78728 (US) (For All Designated States Except US).
BROWN, Eric, L. [US/US]; (US) (For US Only).
DIMATTEO, Robert, S. [US/US]; (US) (For US Only).
NARDELLI, Bruno, A. [US/US]; (US) (For US Only).
PENG, Bin [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LI, Xiao [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: BROWN, Eric, L.; (US).
DIMATTEO, Robert, S.; (US).
NARDELLI, Bruno, A.; (US).
PENG, Bin; (CN).
LI, Xiao; (CN)
Agent: TAYLOR RUSSELL & RUSSELL, PC.; 10601 Ranch Road 2222 Suite R-12 Austin, TX 78730-1138 (US)
Priority Data:
61/308,972 28.02.2010 US
13/037,214 28.02.2011 US
Title (EN) MICRON-GAP THERMAL PHOTOVOLTAIC LARGE SCALE SUB-MICRON GAP METHOD AND APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL À ÉCART SUBMICRONIQUE À GRANDE ÉCHELLE POUR TECHNIQUE THERMO-PHOTOVOLTAÏQUE À ÉCART MICRONIQUE
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to micron-gap thermal photovoltaic (MTPV) technology for the solid-state conversion of heat to electricity. The problem is forming and then maintaining the close spacing between two bodies at a sub-micron gap in order to maintain enhanced performance. While it is possible to obtain the sub-micron gap spacing, the thermal effects on the hot and cold surfaces induce cupping, warping, or deformation of the elements resulting in variations in gap spacing thereby resulting in uncontrollable variances in the power output. A major aspect of the design is to allow for intimate contact of the emitter chips to the shell inside surface, so that there is good heat transfer. The photovoltaic ceils are pushed outward against the emitter chips in order to press them against the inner wail. A high temperature thermal interface material improves the heat transfer between the shell inner surface and the emitter chip.
(FR)L'invention concerne une technique thermo-photovoltaïque à écart micronique (MTPV) pour la conversion à l'état solide de chaleur en électricité. Le problème qui se prose est de former puis de maintenir un espacement serré entre deux corps au niveau d'un écart submicronique afin de conserver des performances améliorées. S'il est possible d'obtenir l'espacement submicronique, les effets thermiques sur des surfaces chaudes et froides entraînent le bombement, le gauchissement ou la déformation des éléments, ce qui produit des variations dans l'écartement et cause donc des écarts incontrôlés dans la puissance de sortie. Un aspect essentiel de la conception selon l'invention est de permettre l'établissement d'un contact intime des puces émettrices avec la surface interne de l'enveloppe, de sorte à assurer un bon transfert thermique. Les cellules photovoltaïques sont poussées vers l'extérieur contre les puces émettrices afin de pousser ces dernières contre la paroi interne. Un matériau d'interface thermique à température élevée améliore le transfert thermique entre la surface interne de l'enveloppe et la puce émettrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)