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1. (WO2012108627) LIGHT EMITTING DIODE HAVING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108627    International Application No.:    PCT/KR2012/000373
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 17.01.2012
IPC:
H01L 33/22 (2010.01)
Applicants: SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1B-36, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do, 425-851 (KR) (For All Designated States Except US).
SUH, Won Cheol [KR/KR]; (KR) (For US Only).
CHOI, Joo Won [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: SUH, Won Cheol; (KR).
CHOI, Joo Won; (KR)
Agent: AIP PATENT & LAW FIRM; Shinwon Building 8F, 823-14, Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-933 (KR)
Priority Data:
10-2011-0012300 11.02.2011 KR
Title (EN) LIGHT EMITTING DIODE HAVING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE PRÉSENTANT UNE STRUCTURE À CRISTAL PHOTONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are a light emitting diode (LED) having a photonic crystal structure and a method of fabricating the same. An LED comprises a support substrate, a lower semiconductor layer positioned on the support substrate, an upper semiconductor layer positioned over the lower semiconductor layer, an active region positioned between the lower and upper semiconductor layers, and a photonic crystal structure embedded in the lower semiconductor layer. The photonic crystal structure may prevent the loss of the light advancing toward the support substrate and improve the light extraction efficiency.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) présentant une structure à cristal photonique et son procédé de production. Une DEL comprend un substrat support, une couche de semi-conducteur inférieure placée sur le substrat support, une couche de semi-conducteur supérieure placée sur la couche de semi-conducteur inférieure, une région active placée entre les couches de semi-conducteur inférieure et supérieure, et une structure à cristal photonique intégrée dans la couche de semi-conducteur inférieure. La structure à cristal photonique peut empêcher la perte de la lumière avançant vers le substrat support et améliorer le rendement d'extraction de la lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)