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1. (WO2012108445) PLASMA ETCHING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108445    International Application No.:    PCT/JP2012/052789
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 07.02.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: Tokyo Electron Limited [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (For All Designated States Except US).
TOHNOE, Kazuhito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIRAYAMA, Yusuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHIYAMA, Yasuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HASHIZUME, Wataru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TOHNOE, Kazuhito; (JP).
HIRAYAMA, Yusuke; (JP).
ISHIYAMA, Yasuyoshi; (JP).
HASHIZUME, Wataru; (JP)
Agent: ITOH, Tadahiko; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2011-025083 08.02.2011 JP
Title (EN) PLASMA ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a plasma etching method, comprising: a first step of etching, with a process gas, an intermediate film, which is positioned below a resist mask which is formed on the obverse face of a substrate, and which includes silicon and nitrogen, and exposing a silicon layer which is positioned below the intermediate film; next, a second step of supplying chlorine gas to the substrate and depositing a reaction product on lateral walls of aperture parts of the resist mask and the intermediate film; and thereafter, a third step of etching locations corresponding to the aperture parts in the silicon layer, using a process gas including a compound of sulfur and fluorine, forming depressions.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure au plasma, comprenant : une première étape de gravure, avec un gaz de transformation, un film intermédiaire, qui est positionné au-dessous d'un masque de réserve qui est formé sur la face averse d'un substrat, et qui comprend le silicium et l'azote, et l'exposition d'une couche de silicium qui est positionnée au-dessous du film intermédiaire ; ensuite, une deuxième étape d'alimentation de gaz de chlore vers le substrat et de dépôt d'un produit de réaction sur les parois latérales de parties d'ouverture du masque de réserve et du film intermédiaire ; et ensuite, une troisième étape d'emplacements de gravure correspondant aux parties d'ouverture dans la couche de silicium, en utilisant un gaz de transformation comprenant un composé de soufre et de fluor, formant des dépressions.
(JA) 基板の表面に形成されたレジストマスクの下方に位置する、シリコン及び窒素を含む中間膜を処理ガスによりエッチングして、前記中間膜の下方に位置するシリコン層を露出させる第1の工程と、次いで塩素ガスを基板に供給し、前記レジストマスク及び中間膜の開口部の側壁に反応生成物を付着させる第2の工程と、その後、イオウとフッ素との化合物を含む処理ガスを用いて前記シリコン層における前記開口部に対応する部位をエッチングして凹部を形成する第3の工程と、を含むことを特徴とするプラズマエッチング方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)