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1. (WO2012108316) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE HAVING MICROPORE, AND SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108316    International Application No.:    PCT/JP2012/052255
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 01.02.2012
IPC:
B23K 26/36 (2006.01), B23K 26/00 (2006.01), B23K 26/04 (2006.01), B23K 26/40 (2006.01), B81C 99/00 (2010.01), C03C 15/00 (2006.01), C03C 23/00 (2006.01)
Applicants: Fujikura Ltd. [JP/JP]; 5-1, Kiba 1-chome, Koto-ku, Tokyo 1358512 (JP) (For All Designated States Except US).
The University of Tokyo [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1138654 (JP) (For All Designated States Except US).
NUKAGA Osamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TABATA Kazuhito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIYAMA Masakazu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NUKAGA Osamu; (JP).
YAMAMOTO Satoshi; (JP).
TABATA Kazuhito; (JP).
SUGIYAMA Masakazu; (JP)
Agent: SHIGA Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Priority Data:
2011-024998 08.02.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE HAVING MICROPORE, AND SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AYANT DES MICROPORES ET SUBSTRAT
(JA) 微細孔を有する基体の製造方法、及び基体
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a substrate having a micropore is characterized by forming at least one first reformed part and one second reformed part by scanning the focus of a first laser beam having a pulse duration of the order of picoseconds or less within the substrate, forming a periodic reformed group configured from a plurality of third reformed parts and a plurality of fourth reformed parts by scanning the focus of a second laser beam having a pulse duration of the order of picoseconds or less within the substrate, obtaining the substrate in which the first reformed part, the second reformed part, and the reformed group are formed so as to overlap each other or so as to be in contact with each other, and forming the micropore by removing the first reformed part and the third reformed parts by etching.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat ayant des micropores qui est caractérisé en ce qu'il forme au moins une première partie reformée et une deuxième partie reformée en balayant l'intérieur du substrat avec le foyer d'un premier rayon laser ayant une durée d'impulsion de l'ordre de la picoseconde ou moins, qu'il forme un groupe reformé périodique configuré à partir d'une pluralité de troisièmes parties reformées et d'une pluralité de quatrièmes parties reformées en balayant l'intérieur du substrat avec le foyer d'un second rayon laser ayant une durée d'impulsion de l'ordre de la picoseconde ou moins, qu'il obtient un substrat dans lequel la première partie reformée, la deuxième partie reformée et le groupe reformé sont constitués de façon à se chevaucher ou de façon à être en contact l'un à l'autre et qu'il forme les micropores en éliminant la première partie reformée et les troisièmes parties reformées par attaque chimique.
(JA)微細孔を有する基体の製造方法であって、基体の内部において、ピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有する第一のレーザー光の焦点を走査して、少なくとも1つの第一改質部および第二改質部を形成し、前記基体の内部においてピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有する第二のレーザー光の焦点を走査して、複数個の第三改質部および第四改質部からなる、周期的な改質群を形成し、前記第一改質部および前記第二改質部と前記改質群とが重なるように、或いは、接するように形成された基体を得て、前記第一改質部および前記第三改質部をエッチングによって除去して前記微細孔を形成することを特徴とする微細孔を有する基体の製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)