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1. (WO2012108116) SINGLE CRYSTAL PRODUCTION APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108116    International Application No.:    PCT/JP2012/000020
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 05.01.2012
IPC:
C30B 15/00 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
IWASAKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SONOKAWA, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKEYASU, Shinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: IWASAKI, Atsushi; (JP).
SONOKAWA, Susumu; (JP).
TAKEYASU, Shinobu; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2011-023687 07.02.2011 JP
Title (EN) SINGLE CRYSTAL PRODUCTION APPARATUS AND SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAUX
(JA) 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention is an apparatus for producing single crystals by a CZ method, which comprises a crucible for holding a raw material melt therein, a pedestal which supports the crucible and is movable upwardly and downwardly, a crucible rotation axis for rotating the crucible through the pedestal, and a leak hot water receiver which is arranged below the crucible and is provided with a center sleeve that is so arranged as to surround the pedestal, and which is characterized in that at least two grooves are formed on the outer peripheral part of the pedestal for the purpose of preventing the dripping of a portion of the raw material melt that leaks from the crucible. Thus, it becomes possible to provide a single crystal production apparatus and a single crystal production method, in which the reach of the melt to a metallic part located below the pedestal can be prevented reliably and the occurrence of damage to the apparatus or the occurrence of accidents can be forestalled even when the raw material melt in the crucible flows outside the crucible by an unexpected accident or the like and runs down along the pedestal.
(FR)La présente invention concerne un appareil destiné à la production de monocristaux par un procédé CZ. L'appareil comprend : un creuset destiné à contenir une matière première en fusion, un piédestal qui supporte le creuset et qui est mobile vers le haut et vers le bas, un axe de rotation de creuset permettant de faire tourner le creuset par l'intermédiaire du piédestal et un récepteur de fuite d'eau chaude qui est disposé sous le creuset et garni d'un manchon central qui est conçu pour entourer le piédestal, et qui est caractérisé en ce qu'au moins deux gorges sont ménagées sur la partie périphérique externe du piédestal pour empêcher l'égouttement d'une partie de la matière première en fusion sortant du creuset. Il devient ainsi possible d'obtenir un appareil et un procédé de production de monocristaux dans lesquels il est empêché, de manière fiable, que la masse fondue atteigne une partie métallique située sous le piédestal, ce qui évite des dommages à l'appareil ou la survenue d'accidents même lorsque la matière première en fusion dans le creuset quitte le creuset accidentellement, ou analogue, et coule le long du piédestal.
(JA) 本発明は、原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するCZ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が2以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置である。これにより、不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)