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1. (WO2012108082) Ag-Au-Pd TERNARY ALLOY-BASED BONDING WIRE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108082    International Application No.:    PCT/JP2011/075160
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 01.11.2011
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), C22C 5/06 (2006.01)
Applicants: TANAKA DENSHI KOGYO K.K. [JP/JP]; Tokyo Building 22F, 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006422 (JP) (For All Designated States Except US).
CHIBA Jun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TESHIMA Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI Tasuku [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ANTOKU Yuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: CHIBA Jun; (JP).
TESHIMA Satoshi; (JP).
KOBAYASHI Tasuku; (JP).
ANTOKU Yuki; (JP)
Agent: KOHNO Naotaka; KOHNO-YAMAMOTO-ARAI & CO., Honcho Building 4F, 4-5-14 Nihonbashi- Honcho, Chuo-ku, Tokyo 1030023 (JP)
Priority Data:
2011-027860 10.02.2011 JP
Title (EN) Ag-Au-Pd TERNARY ALLOY-BASED BONDING WIRE
(FR) FIL DE CONNEXION À BASE D'UN ALLIAGE TERNAIRE Ag-Au-Pd
(JA) Ag-Au-Pd三元合金系ボンディングワイヤ
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To improve the reliability at which a bonding wire for semiconductors that is used in high-temperature and high-humidity environments is bonded to an aluminum pad. [Solution] A ternary-alloy-based wire comprising 4-10 mass% of gold having a purity equal to or greater than 99.999 mass%, and 2-5 mass% of palladium having a purity equal to or greater than 99.99 mass%, the remainder being constituted by silver having a purity equal to or greater than 99.999 mass%. The bonding wire for semiconductors contains 15-70 wt ppm of an oxidizing non-noble metal j element, and is subjected to an annealing heat treatment before being continuously drawn using a die, to a refining heat treatment after being continuously drawn using a die, and to ball-bonding in a nitrogen atmosphere. Corrosion between an Ag2Al intermetallic compound layer and the Ag-Au-Pd ternary alloy wire at the bonding interface between an aluminum pad and the wire is inhibited by Au2Al and a Pd-rich layer.
(FR)La présente invention a pour objet d'améliorer la fiabilité avec laquelle un fil de connexion pour semi-conducteurs utilisé dans des environnements à haute température et à humidité élevée est lié à un plot d'aluminium. L'invention concerne un fil à base d'un alliage ternaire contenant de 4 à 10% en masse d'or présentant une pureté égale ou supérieure à 99,999% en masse et de 2 à 5% en masse de palladium présentant une pureté égale ou supérieure à 99,99% en masse, le reste étant constitué d'argent présentant une pureté égale ou supérieure à 99,999% en masse. Le fil de connexion pour semi-conducteurs selon l'invention contient de 15 à 70 ppm en poids d'un élément j non-métal noble d'oxydation et est soumis à un traitement thermique de recuit avant d'être étiré en continu au moyen d'une matrice, à un traitement thermique d'affinage après avoir été étiré en continu au moyen d'une matrice et à un soudage par boule dans une atmosphère d'azote. La corrosion entre une couche de composé intermétallique Ag2Al et le fil d'alliage ternaire Ag-Au-Pd au niveau de l'interface de connexion entre un plot d'aluminium et le fil est inhibée par Au2Al et une couche riche en Pd.
(JA)【課題】高温、高湿度環境で使用される半導体用ボンディングワイヤにおいて、アルミパッドとの接合信頼性を向上する。 【解決手段】純度99.999質量%以上の金:4~10質量%、純度99.99質量%以上のパラジウム:2~5質量%、残部が純度99.999質量%以上の銀からなる三元合金系ボンディングワイヤであって、酸化性非貴金属j元素が15~70質量ppm含有し、連続ダイス伸線前に焼きなまし熱処理がされ、連続ダイス伸線後に調質熱処理がされ、窒素雰囲気中でボールボンディングされる半導体用ボンディングワイヤ。Ag-Au-Pd三元合金ワイヤとアルミニウムパッドの接合界面でAgAl金属間化合物層とワイヤとの間の腐食がAuAlとPd濃化層によって抑制される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)