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1. (WO2012108055) MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND MONOCRYSTALLINE MEMBER WITH MODIFIED LAYER FORMED THEREIN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108055    International Application No.:    PCT/JP2011/052950
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 10.02.2011
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), B23K 26/08 (2006.01), B23K 26/40 (2006.01), B28D 5/00 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. [JP/JP]; 1-9 Kanda-Sudacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP) (For All Designated States Except US).
National University Corporation Saitama University [JP/JP]; 255, Shimo-ookubo, Sakura-ku, Saitama-shi, Saitama 3388570 (JP) (For All Designated States Except US).
KUNISHI, Yosuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUO, Rika [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKENO, Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUNISHI, Yosuke; (JP).
SUZUKI, Hideki; (JP).
MATSUO, Rika; (JP).
IKENO, Junichi; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
Title (EN) MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND MONOCRYSTALLINE MEMBER WITH MODIFIED LAYER FORMED THEREIN
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT MONOCRISTALLIN ET ORGANE MONOCRISTALLIN RENFERMANT UNE COUCHE MODIFIÉE
(JA) 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
Abstract: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a monocrystalline substrate production method capable of easily producing a relatively large and thin monocrystalline substrate, and a monocrystalline member with a modified layer formed therein. This method comprises: a step for arranging a laser condensing means upon a monocrystalline member in a non-contact state; a step for irradiating, with a laser beam, a surface (10t) of the monocrystalline member by means of the laser condensing means, and condensing the laser beam on the interior of the monocrystalline member; a step for moving the laser condensing means and monocrystalline member relative to each other, and forming a two-dimensional modified layer (12), created by a polycrystalline part parallel with the irradiating axis of the laser beam in the interior of the monocrystalline member; and a step for forming a monocrystalline substrate (10s) by detaching, from the interface with the modified layer (12), a monocrystalline layer (10u) formed as a result of segmentation by the modified layer (12).
(FR)La présente invention vise à fournir un procédé de production de substrat monocristallin capable de produire facilement un substrat monocristallin relativement large et mince et un organe monocristallin renfermant une couche modifiée. Le procédé comprend les étapes suivantes: une étape pour la disposition dans un état sans contact d'un moyen de concentration laser sur un organe monocristallin; une étape pour l'irradiation, avec un faisceau laser, d'une surface (10t) de l'organe monocristallin à l'aide d'un moyen de concentration laser, et la concentration du faisceau laser sur l'intérieur de l'organe monocristallin (10) ; une étape pour le déplacement du moyen de concentration laser et de l'organe monocristallin (10) l'un par rapport à l'autre, et la formation d'une couche bidimensionnelle modifiée (12) produite par la partie polycristalline parallèle à l'axe d'irradiation du faisceau laser à l'intérieur de l'organe monocristallin ; et une étape pour la formation d'un substrat monocristallin (10s) par la séparation depuis l'interface avec la couche modifiée (12) d'une couche monocristalline (10u) formée en conséquence de la segmentation par la couche modifiée (12).
(JA) 比較的大きくて薄い単結晶基板を容易に製造することができる単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材を提供することを課題とする。単結晶部材上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、レーザ集光手段により単結晶部材の表面(10t)にレーザ光を照射して単結晶部材の内部にレーザ光を集光する工程と、レーザ集光手段と単結晶部材とを相対的に移動させて、単結晶部材の内部に、レーザ光の照射軸と平行な多結晶部で構成される2次元状の改質層(12)を形成する工程と、改質層(12)により分断されてなる単結晶層(10u)を改質層(12)との界面から剥離することで単結晶基板(10s)を形成する工程とを行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)