WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012108052) MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND MONOCRYSTALLINE MEMBER WITH MODIFIED LAYER FORMED THEREIN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/108052    International Application No.:    PCT/JP2011/052941
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 10.02.2011
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), B23K 26/40 (2006.01), B28D 5/00 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. [JP/JP]; 1-9 Kanda-Sudacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP) (For All Designated States Except US).
National University Corporation Saitama University [JP/JP]; 255, Shimo-ookubo, Sakura-ku, Saitama-shi, Saitama 3388570 (JP) (For All Designated States Except US).
KUNISHI, Yosuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUO, Rika [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKENO, Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUNISHI, Yosuke; (JP).
SUZUKI, Hideki; (JP).
MATSUO, Rika; (JP).
IKENO, Junichi; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
Title (EN) MONOCRYSTALLINE SUBSTRATE PRODUCTION METHOD AND MONOCRYSTALLINE MEMBER WITH MODIFIED LAYER FORMED THEREIN
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT MONOCRISTALLIN ET ORGANE MONOCRISTALLIN RENFERMANT UNE COUCHE MODIFIÉE
(JA) 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材
Abstract: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a monocrystalline substrate production method capable of easily producing a relatively large and thin monocrystalline substrate, and a monocrystalline member with a modified layer formed therein. The method comprises: a step for arranging in a non-contact state upon a monocrystalline member (10) a laser condensing means; a step for irradiating a surface (10t) of the monocrystalline member (10) with a laser beam (B), and condensing the laser beam (B) on the interior of the monocrystalline member (10); a step for moving the laser condensing means and the monocrystalline member (10) relative to each other, and forming a two-dimensional modified layer (12) in the interior of the monocrystalline member (10); and a step for forming a monocrystalline substrate (10s) by detaching, from the interface with the modified layer (12), a monocrystalline layer (10u) formed as a result of segmentation by the modified layer (12).
(FR)La présente invention vise à fournir un procédé de production de substrat monocristallin capable de produire facilement un substrat monocristallin relativement large et mince et un organe monocristallin renfermant une couche modifiée. Le procédé comprend les étapes suivantes: une étape pour la disposition dans un état sans contact sur un organe monocristallin (10) d'un moyen de concentration laser ; une étape pour l'irradiation d'une surface (10t) de l'organe monocristallin (10) avec un faisceau laser (B), et la concentration du faisceau laser (B) sur l'intérieur de l'organe monocristallin (10) ; une étape pour le déplacement du moyen de concentration laser et de l'organe monocristallin (10) l'un par rapport à l'autre, et la formation d'une couche bidimensionnelle modifiée (12) à l'intérieur de l'organe monocristallin (10) ; et une étape pour la formation d'un substrat monocristallin (10s) par la séparation depuis l'interface avec la couche modifiée (12) d'une couche monocristalline (10u) formée en conséquence de la segmentation par la couche modifiée (12).
(JA) 比較的大きくて薄い単結晶基板を容易に製造することができる単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材を提供することを課題とする。単結晶部材(10)上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、単結晶部材(10)の表面(10t)にレーザ光(B)を照射して単結晶部材(10)の内部にレーザ光(B)を集光する工程と、レーザ集光手段と単結晶部材(10)とを相対的に移動させて、単結晶部材(10)の内部に、2次元状の改質層(12)を形成する工程と、改質層(12)により分断されてなる単結晶層(10u)を改質層(12)との界面から剥離することで単結晶基板(10s)を形成する工程とを行う。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)