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1. (WO2012107995) SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND DRIVING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107995    International Application No.:    PCT/JP2011/052602
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 08.02.2011
IPC:
H04N 5/374 (2011.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/378 (2011.01)
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (For All Designated States Except US).
Shimadzu Corporation [JP/JP]; 1, Nishinokyo-Kuwabara-cho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048511 (JP) (For All Designated States Except US).
SUGAWA, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOMINAGA, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKUBO, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KONDO, Yasushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUGAWA, Shigetoshi; (JP).
TOMINAGA, Hideki; (JP).
TAKUBO, Kenji; (JP).
KONDO, Yasushi; (JP)
Agent: Kyoto International Patent Law Office; Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SOLID STATE IMAGING ELEMENT AND DRIVING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT DE FORMATION D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ D'ATTAQUE ASSOCIÉ
(JA) 固体撮像素子及びその駆動方法
Abstract: front page image
(EN)A transistor (24), which acts as a load current source for a source follower amplifying transistor (22) for outputting a pixel signal to a pixel outputting line (40), is provided for each pixel (10), thereby avoiding a large bias current flowing to the pixel outputting line (40), which is of high resistance, and suppressing scattering of offset voltage for each of the pixels. Furthermore, positioning of the highly resistive pixel outputting line (40) in a source follower amplification circuit is avoided, and reduction in gain characteristics is prevented. Accordingly, picture quality is enhanced by improving the SN ratio of the pixel signal. Additionally, a current insulating transistor (23), which switches on/off simultaneously with an output controlling transistor (25), is connected in series with the source follower amplifying transistor (22), and energy consumption is reduced by ensuring that the current does not flow to the transistor (22) except when the pixel signal is outputted to the pixel outputting line.
(FR)L'invention concerne un transistor (24) jouant le rôle de source de courant de charge pour un transistor d'amplification suiveur de source (22) destiné à fournir en sortie un signal de pixel à une ligne de sortie de pixels (40), ledit transistor (24) étant prévu pour chaque pixel (10), cela permettant d'éviter qu'un fort courant de polarisation passe vers la ligne de sortie de pixels (40) dont la résistance est élevée, et supprimant la dispersion de la tension de décalage pour chacun des pixels. De plus, le positionnement de la ligne de sortie de pixels de forte résistivité (40) dans un circuit d'amplification suiveur de source est évité, cela évitant une diminution des caractéristiques de gain. Par conséquent, la qualité de l'image est améliorée du fait de l'amélioration du rapport SN (Signal to Noise, signal à bruit) et du signal de pixel. De plus, un transistor d'isolation de courant (23) qui devient passant/non passant en même temps que le transistor de commande de sortie (25) est connecté en série au transistor d'amplification suiveur de source (22), la consommation d'énergie étant réduite en faisant en sorte qu'aucun courant ne passe vers le transistor (22) sauf lorsque le signal de pixel est fourni en sortie sur la ligne de sortie de pixels.
(JA) 画素信号を画素出力線(40)に出力するためのソースフォロア増幅用トランジスタ(22)の負荷電流源となるトランジスタ(24)を各画素(10)内に設けることにより、大きなバイアス電流が高抵抗である画素出力線(40)に流れることを回避し、画素毎のオフセット電圧のばらつきを抑える。また、高抵抗の画素出力線(40)がソースフォロア増幅回路内に配置されることを回避し、ゲイン特性の低下を防止する。これにより、画素信号のSN比を改善して画質向上を図る。さらに、出力制御用トランジスタ(25)と同一タイミングでオン・オフする電流遮断用トランジスタ(23)をソースフォロア増幅用トランジスタ(22)と直列に接続し、画素信号を画素出力線に出力する期間以外ではトランジスタ(22)に電流を流さないようにすることで消費電力を抑える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)