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1. (WO2012107979) LASER ANNEALING METHOD AND LASER ANNEALING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107979    International Application No.:    PCT/JP2011/006382
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 16.11.2011
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416025 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKURAGI, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKURAGI, Susumu; (JP)
Agent: TAKAHASHI, Keishiro; TAKAHASHI & KITAYAMA 6th Fl., New Jied Bldg., 3-22-8, Ueno, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2011-025980 09.02.2011 JP
Title (EN) LASER ANNEALING METHOD AND LASER ANNEALING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE RECUIT AU LASER ET APPAREIL DE RECUIT AU LASER
(JA) レーザアニール方法及びレーザアニール装置
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To perform high quality annealing. [Solution] (a) A semiconductor substrate is prepared, said semiconductor substrate having an impurity added thereto at a relatively low concentration in a relatively deep region of a surface layer portion, and having an impurity added thereto at a relatively high concentration in a relatively shallow region of the surface layer portion. (b) The semiconductor substrate is irradiated with a laser beam, and the high concentration impurity added to the relatively shallow region activates the semiconductor substrate by melting the semiconductor substrate to a position deeper than the region having the high concentration impurity added thereto, and the low concentration impurity added to the relatively deep region activates the semiconductor substrate without melting the semiconductor substrate to the region having the low concentration impurity added thereto.
(FR)[Problème] Réaliser un recuit de haute qualité. [Solution] (a) Un substrat semi-conducteur est préparé, une impureté étant ajoutée audit substrat semi-conducteur à une concentration relativement faible dans une zone relativement profonde d'une partie de couche de surface, et une impureté lui étant ajoutée à une concentration relativement élevée dans une zone relativement peu profonde de la partie de couche de surface. (b) Le substrat semi-conducteur est irradié avec un faisceau laser, et l'impureté à concentration élevée ajoutée à la zone relativement peu profonde active le substrat semi-conducteur en fondant le substrat semi-conducteur en une position plus profonde que la zone à laquelle est ajoutée l'impureté à concentration élevée, et l'impureté à faible concentration ajoutée à la zone relativement profonde active le substrat semi-conducteur sans fondre le substrat semi-conducteur dans la zone dans laquelle est ajoutée l'impureté à faible concentration.
(JA)【課題】 高品質のアニールを行う。 【解決手段】 (a)表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されている半導体基板を準備する。(b)半導体基板にレーザビームを照射して、相対的に浅い領域に添加された高濃度不純物は、高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、半導体基板を溶融させて活性化させ、相対的に深い領域に添加された低濃度不純物は、半導体基板を、低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく活性化させる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)