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1. (WO2012107954) LATERAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107954    International Application No.:    PCT/JP2011/000696
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 08.02.2011
Chapter 2 Demand Filed:    26.12.2011    
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (For All Designated States Except US).
EGUCHI, Hiroomi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKAWA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ONOGI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: EGUCHI, Hiroomi; (JP).
OKAWA, Takashi; (JP).
ONOGI, Atsushi; (JP)
Agent: OGASAWARA PATENT OFFICE; Daido-Seimei Esaka Bldg., 13th Floor, 1-23-101, Esakacho, Suita-shi, Osaka 5640063 (JP)
Priority Data:
Title (EN) LATERAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE LATÉRAL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 横型半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a lateral-type semiconductor device configured on an SOI (silicon on insulator) substrate. The lateral-type semiconductor device is provided with a semiconductor layer that includes a body region (107) on a buried oxide film (200), and a drift region (109) adjacent to a side surface of the body region (107). The lateral-type semiconductor device is characterized in having a first trench that faces the buried oxide film (200) but does not reach the buried oxide film (200) at the interface between the body region (107) and the drift region (109).
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur de type latéral configuré sur un substrat SOI (silicium sur isolant). Le dispositif à semi-conducteur de type latéral est muni d'une couche semi-conductrice qui comprend une région de corps (107) sur un film d'oxyde enterré (200), et une région de migration (109) adjacente à une surface latérale de la région de corps (107). Le dispositif à semi-conducteur de type latéral est caractérisé en ce qu'il comporte une première tranchée qui fait face au film d'oxyde enterré (200) mais n'atteint pas le film d'oxyde enterré (200) à l'interface entre la région de corps (107) et la région de dérive (109).
(JA) SOI(Silicon on Insulator)基板上に構成された横型半導体装置である。上記横型半導体装置は、埋め込み酸化膜(200)上にボディ領域(107)と、当該ボディ領域(107)の側面と接するドリフト領域(109)とを含む半導体層を備える。また、上記横型半導体装置は、ボディ領域(107)とドリフト領域(109)との界面において埋め込み酸化膜(200)に向けて当該埋め込み酸化膜(200)に到達しない第1のトレンチを有することを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)