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1. (WO2012107782) REFLECTOMETER TEST DEVICE FOR INTEGRATED CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107782    International Application No.:    PCT/GB2012/050313
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 13.02.2012
IPC:
G01R 31/11 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01), G01R 31/308 (2006.01)
Applicants: TERAVIEW LIMITED [GB/GB]; Platinum Building St John's Innovation Park Cambridge Cambridgeshire CB4 0WS (GB) (For All Designated States Except US).
COLE, Bryan Edward [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: COLE, Bryan Edward; (GB)
Agent: GRANLEESE, Rhian; 90 Long Acre London WC2E 9RA (GB)
Priority Data:
1102507.9 11.02.2011 GB
Title (EN) REFLECTOMETER TEST DEVICE FOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) SYSTÈME DE TEST
Abstract: front page image
(EN)A reflectometer for allowing a test of a device, the reflectometer comprising: a source of pulsed radiation; a first photoconductive element configured to output a pulse in response to irradiation from said pulsed source; a second photoconductive element configured to receive a pulse; a transmission line arrangement configured to direct the pulse from the first photoconductive element to the device under test and to direct the pulse reflected from the device under test to the second photoconductive element; and a termination resistance provided for said transmission line configured to match the impedance of the transmission line.
(FR)L'invention porte sur un réflectomètre destiné à permettre un test d'un dispositif, le réflectomètre comprenant : une source de rayonnement pulsé ; un premier élément photoconducteur configuré pour délivrer en sortie une impulsion en réponse à une irradiation à partir de ladite source pulsée ; un second élément photoconducteur configuré pour recevoir une impulsion ; un agencement de ligne de transmission configuré pour diriger l'impulsion à partir du premier élément photoconducteur vers le dispositif qui est testé et à diriger l'impulsion réfléchie à partir du dispositif testé vers le second élément photoconducteur ; et une résistance de terminaison disposée pour ladite ligne de transmission configurée pour s'adapter à l'impédance de la ligne de transmission.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)