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1. (WO2012107261) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107261    International Application No.:    PCT/EP2012/050713
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 18.01.2012
IPC:
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
EIBL, Johann [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ENGL, Karl [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LAMFALUSI, Tamas [HU/DE]; (DE) (For US Only).
MAUTE, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: EIBL, Johann; (DE).
ENGL, Karl; (DE).
LAMFALUSI, Tamas; (DE).
MAUTE, Markus; (DE)
Agent: EPPING, HERMANN & FISCHER; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2011 003 684.9 07.02.2011 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(DE)Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.
(EN)An optoelectronic semiconductor chip (100) having an epitaxial layer sequence (102) comprises a doped epitaxial layer (104) having a first region (116) and a second region (118) and a protected structure (108, 106). The first region (116) of the doped epitaxial layer (104) completely covers the protected structure (108, 106). The outer surface (119) of the doped epitaxial layer (104) has a first roughness in the first region (116) and a second roughness in the second region (118).
(FR)L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (100) comportant une succession de couches épitaxiales (102) comprenant une couche épitaxiale dopée (104) munie d'une première zone (116) et d'une seconde zone (118) et une structure protégée (108, 106). La première zone (116) de la couche épitaxiale dopée (104) recouvre entièrement la structure protégée (108, 106). La surface extérieure (119) de la couche épitaxiale dopée (104) présente dans la première zone (116) une première rugosité et dans la seconde zone (118) une seconde rugosité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)