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1. (WO2012107258) METHOD FOR CONTROLLING TWO ELECTRICALLY SERIES-CONNECTED REVERSE CONDUCTIVE IGBTS OF A HALF BRIDGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107258    International Application No.:    PCT/EP2012/050503
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 13.01.2012
IPC:
H02M 1/08 (2006.01), H03K 17/567 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
ECKEL, Hans-Günter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ECKEL, Hans-Günter; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34 80506 München (DE)
Priority Data:
102011003938.4 10.02.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR STEUERUNG ZWEIER ELEKTRISCH IN REIHE GESCHALTETER RÜCKWÄRTS LEITFÄHIGER IGBTS EINER HALBBRÜCKE
(EN) METHOD FOR CONTROLLING TWO ELECTRICALLY SERIES-CONNECTED REVERSE CONDUCTIVE IGBTS OF A HALF BRIDGE
(FR) PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DEUX IGBT MONTÉS ÉLECTRIQUEMENT EN SÉRIE À CONDUCTION INVERSE D'UN DEMI-PONT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Steuerung zweier elektrisch in Reihe geschalteter rückwärts leitfähiger IGBTs (T1, T2) einer Halbbrücke (2), an der eine Betriebsgleichspannung (6,8) ansteht, wobei diese rückwärts leitfähigen IGBTs (T1, T2) über drei Schaltzustände verfügen. Erfindungsgemäß weist das Verfahren folgende Verfahrensschritte auf: Setzen eines jeden rückwärts leitfähigen IGBTs (T1, T2) der Halbbrücke (2) während eines stationären Aus-Zustands eines zugehörigen Soll-Steuersignals (S* T) in den Schaltzustand "-15V", halten eines rückwärts leitfähigen IGBTs (T1, T2) in dem Schaltzustand "-15V" nach Ablauf einer vorbestimmten Zeitspanne (ΔΤ1) nach Wechsei des Soll-Steuersignals (ΔΤ1) vom Aus-Zustand in einen Ein-Zustand, solange ein Strom vom Emitter zum Kollektor fließt, setzen eines rückwärts leitfähigen IGBTs (T1, T2) nach Ablauf dieser vorbestimmten Zeitspanne {ΔΤι), wenn dadurch ein Stromfluss vom Kollektor zum Emitter ermöglicht wird, setzen eines jeden rückwärts leitfähigen IGBTs (T1, T2) der Halbbrücke (2) in den Schaltzustand " + 15V" für eine zweite vorbestimmte Zeitspanne (ΔΤ2) nach einem Wechsel des zugehörigen Soll-Steuersignals (S* T) vom Ein- in den Aus-Zustand und setzen des rückwärts leitfähigen IGBTs (T1, T2) der Halbbrücke (2) nach Ablauf der zweiten Zeitspanne (ΔΤ2) für eine dritte vorbestimmte Zeitspanne (ΔΤ3) in den Schaltzustand "0V". Somit erhält man ein Steuerverfahren für zwei elektrisch in Reihe geschalteten RC-IGBTs (T1, T2) einer Halbbrücke (2), die drei Schaltzustände aufweisen, wodurch die Reverse-Recovery-Ladung bei gleicher Durchlassspannung gegenüber einem herkömmlichen Steuerverfahren niedriger ist.
(EN)The invention relates to a method for controlling two electrically series-connected reverse conductive IGBTs (T1, T2) of a half bridge (2) on which an operating DC voltage (6, 8) is present, wherein said reverse conductive IGBTs (T1, T2) have three switching states. According to the invention, the method comprises the following steps: setting each reverse conductive IGBT (T1, T2) of the half bridge (2) to the "-15V" switching state during a steady OFF state of an associated target control signal (S*T); maintaining a reverse conductive IGBT (T1, T2) in the "-15V" switching state after a predetermined time period (ΔΤ1) has lapsed after the target control signal (S*T) has changed from the OFF state to an ON state as long as a current flows from the emitter to the collector; setting a reverse conductive IGBT (T1, T2) after said predetermined time period (ΔΤ1) has lapsed if a flow of current is thereby made possible from the collector to the emitter; setting each reverse conductive IGBT (T1, T2) of the half bridge (2) to the "+15V" switching state for a second predetermined time period (ΔΤ2) after the associated target control signal (ST) has switched from the ON to the OFF state; and setting the reverse conductive IGBT (T1, T2) of the half bridge (2) to the "0V" switching state for a third predetermined time period (ΔΤ3) after the second time period (ΔΤ2) has lapsed. This creates a control method for two electrically series-connected RC-IGBTs (T1, T2) of a half bridge (2) which have three switching states, whereby the reverse recovery charge is lower than in a conventional control method, with the forward voltage remaining the same.
(FR)Procédé de commande de deux IGBT à conduction inverse (T1, T2) montés électriquement en série d'un demi-pont (2) auquel est appliquée une tension continue de fonctionnement (UG), ces IGBT à conduction inverse (T1, T2) présentant trois états de commutation. Selon l'invention, ledit procédé comporte les étapes suivantes : réglage de chaque IGBT à conduction inverse (T1, T2) du demi-pont (2) pendant un état ouvert fixe d'un signal de commande de consigne associé (S*T) sur l'état de commutation "-15V"; maintien d'un IGBT à conduction inverse (T1, T2) sur l'état de commutation "+15V" après écoulement d'un laps de temps prédéfini (ΔΤ1) après le passage du signal de commande de consigne (S*T) de l'état ouvert à un état fermé, tant qu'un courant circule de l'émetteur au collecteur; réglage d'un IGBT à conduction inverse (T1, T2) sur l'état de commutation "+15V" après écoulement de ce laps de temps prédéfini (ΔΤ1) après le passage du signal de commande de consigne (S*T) de l'état ouvert à l'état fermé, lorsque cette configuration permet le passage du courant du collecteur à l'émetteur; réglage de chaque IGBT à conduction inverse (T1, T2) du demi-pont (2) sur l'état de commutation "+15V" pour un second laps de temps prédéfini (ΔΤ2) après le passage du signal de commande de consigne (S*T) associé de l'état fermé à l'état ouvert, et réglage de chaque IGBT à conduction inverse (T1, T2) du demi-pont (2), après écoulement du second laps de temps (ΔΤ2), pour un troisième laps de temps prédéfini (ΔΤ3) sur l'état de commutation "0V". On obtient ainsi un procédé de commande pour deux IGBT à conduction inverse (T1, T2) montés électriquement en série d'un demi-pont (2), qui présentent trois états de commutation, la charge de récupération inverse étant plus faible que pour un procédé de commande classique, pour une tension à l'état passant identique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)