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1. (WO2012107135) TRENCH SCHOTTKY DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107135    International Application No.:    PCT/EP2011/072798
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 14.12.2011
IPC:
H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
QU, Ning [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: QU, Ning; (DE).
GOERLACH, Alfred; (DE)
Common
Representative:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Priority Data:
10 2011 003 961.9 11.02.2011 DE
Title (DE) TRENCH-SCHOTTKYDIODE
(EN) TRENCH SCHOTTKY DIODE
(FR) DIODES SCHOTTKY À TRANCHÉES
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft Trench-Schottkydiode, welche ein hochdotiertes Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine auf das Substrat aufgebrachte Epischicht desselben Leitfähigkeitstyps aufweist. In die Epischicht sind mindestens zwei Gräben eingebracht. Die Epischicht ist eine Stufen-Epischicht, die zwei Teilschichten unterschiedlicher Dotierungskonzentration aufweist.
(EN)The invention relates to a trench Schottky diode comprising a highly doped substrate of a first conductivity type and an epitaxial layer of the same conductivity type, said epitaxial layer being applied to the substrate. At least two trenches are introduced into the epitaxial layer. The epitaxial layer is a stepped epitaxial layer comprising two partial layers having different doping concentrations.
(FR)L'invention concerne des diodes Schottky à tranchées qui comportent un substrat fortement dopé présentant un premier type de conductivité, et une couche épitaxiale d'un type de conductivité identique, appliquée sur le substrat. Au moins deux tranchées sont creusées dans la couche épitaxiale. La couche épitaxiale est une couche épitaxiale à étages qui comporte deux couches partielles présentant des concentrations de dopage différentes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)