WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012107010) METHOD FOR DRIVING A TRANSISTOR AND DRIVE CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/107010    International Application No.:    PCT/DE2011/050058
Publication Date: 16.08.2012 International Filing Date: 20.12.2011
IPC:
G01R 31/02 (2006.01), H02H 11/00 (2006.01), H03K 17/082 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG [AT/AT]; Siemensstraße 2 A-9500 Villach (AT) (For All Designated States Except US).
ZF FRIEDRICHSHAFEN AG [DE/DE]; Graf-von-Soden-Platz 1 88046 Friedrichshafen (DE) (For All Designated States Except US).
REITER, Tomas Manuel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KETT, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
DOEMEL, Bernhard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: REITER, Tomas Manuel; (DE).
KETT, Jürgen; (DE).
DOEMEL, Bernhard; (DE)
Agent: WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER; Herzog-Wilhelm-Straße 26 80331 München (DE)
Priority Data:
10 2011 003 733.0 07.02.2011 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR ANSTEUERUNG EINES TRANSISTORS UND ANSTEUERSCHALTUNG
(EN) METHOD FOR DRIVING A TRANSISTOR AND DRIVE CIRCUIT
(FR) PROCÉDÉ D'EXCITATION D'UN TRANSISTOR ET CIRCUIT D'EXCITATION
Abstract: front page image
(DE)Beschrieben werden ein Verfahren zur gepulsten Ansteuerung eines Transistors, der einen Ansteueranschluss (G) und eine Laststrecke (C-E) aufweist und dessen Laststrecke in Reihe zu einer Last geschaltet ist, und eine Ansteuerschaltung für einen Transistor (1). Das Verfahren weist auf: Ansteuern des Transistors mit einem Ansteuerimpuls eines ersten Typs, der zumindest für eine erste Zeitdauer (Tl) einen ersten Ansteuerpegel (S21) aufweist, vor einem Ansteuerimpuls eines zweiten Typs, der einen im Vergleich zu dem ersten Ansteuerpegel (S21) höheren zweiten Ansteuerpegel (S22) aufweist; Auswerten einer Spannung (Vce) über der Laststrecke des Transistors (1); Abbrechen der gepulsten Ansteuerung, wenn die Spannung (Vce) über der Laststrecke einen vorgegebenen Schwellenwert übersteigt.
(EN)A description is given of a method for the pulsed driving of a transistor, which has a drive terminal (G) and a load path (C-E) and the load path of which is connected in series with a load, and a drive circuit for a transistor (1). The method comprises: Driving the transistor with a drive pulse of a first type, which has a first drive level (S21) at least for a first time duration (Tl), before a drive pulse of a second type, which has a second drive level (S22), which is higher in comparison with the first drive level (S21); evaluating a voltage (Vce) across the load path of the transistor (1); terminating the pulsed driving if the voltage (Vce) across the load path exceeds a predefined threshold value.
(FR)L'invention concerne un procédé d'excitation pulsée d'un transistor qui comporte un raccordement d'excitation (G) et une ligne de charge (C-E), cette ligne de charge étant couplée en série avec une charge, ainsi qu'un circuit d'excitation pour un transistor (1). Le procédé consiste à : exciter le transistor au moyen d'une impulsion d'excitation d'un premier type qui présente un premier niveau d'excitation (S21), au moins pour une première durée (Tl), avant une impulsion d'excitation d'un deuxième type qui présente un deuxième niveau d'excitation (S22) supérieur au premier niveau d'excitation (S21); évaluer une tension (Vce) sur la ligne de charge du transistor (1); interrompre l'impulsion d'excitation lorsque la tension (Vce) dépasse une valeur seuil prédéfinie sur la ligne de charge.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)