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1. (WO2012106661) LOW-PROFILE MEMS THERMAL PRINTHEAD DIE HAVING BACKSIDE ELECTRICAL CONNECTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/106661    International Application No.:    PCT/US2012/023862
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 03.02.2012
IPC:
B41J 2/32 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01)
Applicants: KATEEVA, INC. [US/US]; Suite A 1430 O'Brien Drive Menlo Park, California 94025 (US) (For All Designated States Except US).
GOLDA, Dariusz [US/US]; (US) (For US Only).
KIM, Hyeun-Su [KR/US]; (US) (For US Only).
GASSEND, Valerie [FR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GOLDA, Dariusz; (US).
KIM, Hyeun-Su; (US).
GASSEND, Valerie; (US)
Agent: FRAZIER, Jeffery, D.; Suite A 1430 O'Brien Drive Menlo Park, CA 94025 (US)
Priority Data:
61/439,816 04.02.2011 US
13/154,419 06.06.2011 US
13/327,745 15.12.2011 US
Title (EN) LOW-PROFILE MEMS THERMAL PRINTHEAD DIE HAVING BACKSIDE ELECTRICAL CONNECTIONS
(FR) PUCE DE TÊTE D'IMPRESSION THERMIQUE MEMS AU PROFIL BAS À CONNEXIONS ÉLECTRIQUES CÔTÉ ARRIÈRE
Abstract: front page image
(EN)A thermal printhead die is formed from an SOI structure as a MEMS device. The die has a printing surface, a buried oxide layer, and a mounting surface opposite the printing surface. A plurality of ink delivery sites are formed on the printing surface, each site having an ink-receiving and ink-dispensing structure. An ohmic heater is formed adjacent to each structure, and an under-bump metallization (UBM) pad is formed on the mounting surface and is electrically connected to the ohmic heater, so that ink received by the ink-delivery site and electrically heated by the ohmic heater may be delivered to a substrate by sublimation. A through-silicon-via (TSV) plug may be formed through the thickness of the die and electrically coupled through the buried oxide layer from the ohmic heater to the UBM pad. Layers of interconnect metal may connect the ohmic heater to the UBM pad and to the TSV plug.
(FR)L'invention porte sur une puce de tête d'impression thermique qui est formée à l'aide d'une structure SOI telle qu'un dispositif MEMS. La puce comprend une surface d'impression, une couche d'oxyde enterrée et une surface de montage opposée à la surface d'impression. Une pluralité d'emplacements de distribution d'encre sont formés sur la surface d'impression, chaque emplacement ayant une structure de réception et de distribution d'encre. Un réchauffeur ohmique est formé adjacent à chaque structure, et un plot de métallisation sous bosse (UBM), qui est formé sur la surface de montage, est électriquement connecté au réchauffeur ohmique, de manière que de l'encre reçue par l'emplacement de distribution d'encre et électriquement chauffée par le réchauffeur ohmique puisse être distribuée à un substrat par sublimation. Un connecteur d'interconnexion verticale (TSV) peut être formé à travers l'épaisseur de la puce et électriquement couplé, à travers la couche d'oxyde enterrée, du réchauffeur ohmique au plot UBM. Des couches de métal d'interconnexion peuvent connecter le réchauffeur ohmique au plot UBM et au connecteur TSV.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)