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1. (WO2012106360) MONOLITHIC INTEGRATION OF SUPER-STRATE THIN FILM PHOTOVOLTAIC MODULES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/106360    International Application No.:    PCT/US2012/023367
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 31.01.2012
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: ENCORESOLAR, INC. [US/US]; 6541 Via Del Oro, Unit B San Jose, CA 95119 (US) (For All Designated States Except US).
BASOL, Bulent, M. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BASOL, Bulent, M.; (US)
Agent: BLUEMENTHAL, David, A.; Morrison & Foerster LLP 555 West Fifth Street Los Angeles, CA 90013-1024 (US)
Priority Data:
61/462,307 01.02.2011 US
Title (EN) MONOLITHIC INTEGRATION OF SUPER-STRATE THIN FILM PHOTOVOLTAIC MODULES
(FR) INTÉGRATION MONOLITHIQUE DE MODULES PHOTOVOLTAÏQUES À COUCHES MINCES ET À SUPERSTRAT
Abstract: front page image
(EN)Integration processes and solar modules employ monolithically integrated thin film super-strate structures. The integrated module structure may be formed by deposition of a transparent conductive material layer on a transparent support, forming scribe lines through the transparent conductive material layer, depositing a semiconductor window layer, depositing a solar cell absorber layer, depositing a first conductive layer, making cuts through the layers to expose a top surface of the transparent conductive material layer, depositing a second conductive layer and making isolation scribes that separate back contacts of adjacent solar cells from each other. Alternatively, an integrated module structure is formed by depositing a transparent conductive film, a transparent junction formation layer, a PV absorber layer, and a first conductive layer over a transparent support sheet, thus forming a stack, making parallel cuts through the stack, filling the parallel cuts with high resistance plugs, forming connection scribes to expose a top surface of the transparent conductive film, depositing a second conductive layer, and forming isolation lines that separate the back contacts of adjacent solar cells. The use of two separate conductive films permits one to select each film to optimize its desired function. The first film may be selected to optimize good ohmic contact with the absorber layer and to alternatively or additionally present a high diffusion barrier whereas the second conductive film may be selected to optimize good ohmic contact with the transparent conductive material layer. Integration processes and solar modules employ monolithically integrated thin film super-strate structures. The integrated module structure may be formed by deposition of a transparent conductive material layer, forming scribe lines through the layer, depositing a semiconductor window layer, a solar cell absorber layer, a first conductive layer, making cuts through the layers to expose a top surfac of the transparent layer, depositing a second conductive layer and making isolation scribes that separate back contacts of adjacent sol cells from each other. Alternatively, the structure is formed by depositing a transparent conductive film, and layers described above, forming connection scribes to expose a top surface of the film, depositing a second conductive layer, and forming isolation lines that separate the back contacts of adjacent solar cells. The use of two separate conductive films permits one to select each film to optimize its desired function.
(FR)L'invention concerne des processus d'intégration et des modules solaires qui utilisent des structures de superstrat en couches minces intégrées monolithiquement. La structure de module intégré peut être formée par dépôt d'une couche transparente de matériau conducteur sur un support transparent, formation de lignes de découpe au travers de la couche transparente de matériau conducteur, dépôt d'une couche semi-conductrice fenêtrée, dépôt d'une couche absorbante de cellule solaire, dépôt d'une première couche conductrice, réalisation de découpes au travers des couches afin d'exposer une surface supérieure de la couche transparente de matériau conducteur, dépôt d'une seconde couche conductrice et réalisation de lignes d'isolation qui séparent les contacts arrière de cellules solaires adjacentes les uns des autres. En variante, une structure de module intégré est formée par dépôt d'un film conducteur transparent, d'une couche transparente de formation de jonctions, d'une couche absorbante photovoltaïque et d'une première couche transparente sur une feuille support transparente, formant ainsi un empilement, réalisation de découpes parallèles au travers de l'empilement, remplissage des découpes parallèles par des bouchons à haute résistance, formation de lignes de connexion afin d'exposer une surface supérieure du film conducteur transparent, dépôt d'une seconde couche conductrice et formation de lignes d'isolation qui séparent les contacts arrière de cellules solaires adjacentes. L'utilisation de deux films conducteurs distincts permet de sélectionner chacun des films afin d'optimiser la fonction voulue. Le premier film peut être sélectionné pour optimiser le bon contact ohmique avec la couche absorbante et pour réaliser en variante ou additionnellement une barrière de diffusion élevée, tandis que le second film conducteur peut être sélectionné pour optimiser le bon contact ohmique avec la couche transparente de matériau conducteur. Les processus d'intégration et les modules solaires utilisent des structures de superstrat en couches minces intégrées monolithiquement. La structure de module intégré peut être formée par dépôt d'une couche transparente de matériau conducteur, formation de lignes de découpe au travers de la couche, dépôt d'une couche semi-conductrice fenêtrée, d'une couche absorbante de cellule solaire, d'une première couche conductrice, réalisation de découpes au travers des couches afin d'exposer une surface supérieure de la couche transparente de matériau conducteur, dépôt d'une seconde couche conductrice et réalisation de lignes d'isolation qui séparent les contacts arrière de cellules solaires adjacentes les uns des autres. En variante, la structure est formée par dépôt d'un film conducteur transparent et des couches décrites ci-dessus, formation de lignes de connexion afin d'exposer une surface supérieure du film conducteur transparent, dépôt d'une seconde couche conductrice et formation de lignes d'isolation qui séparent les contacts arrière de cellules solaires adjacentes. L'utilisation de deux films conducteurs distincts permet de sélectionner chacun des films afin d'optimiser sa fonction voulue.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)