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1. (WO2012106253) III-N DEVICE STRUCTURES AND METHODS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/106253    International Application No.:    PCT/US2012/023160
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 30.01.2012
IPC:
H01L 29/778 (2006.01), H01L 21/335 (2006.01)
Applicants: TRANSPHORM INC. [US/US]; 107 South la Patera Lane Goleta, California 93117 (US) (For All Designated States Except US).
PARIKH, Primit [US/US]; (US) (For US Only).
DORA, Yuvaraj [IN/US]; (US) (For US Only).
WU, Yifeng [CN/US]; (US) (For US Only).
MISHRA, Umesh [US/US]; (US) (For US Only).
FICHTENBAUM, Nicholas [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: PARIKH, Primit; (US).
DORA, Yuvaraj; (US).
WU, Yifeng; (US).
MISHRA, Umesh; (US).
FICHTENBAUM, Nicholas; (US)
Agent: BOROVOY, Roger S.; Fish & Richardson P.C. P. O. Box 1022 Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Priority Data:
13/019,733 02.02.2011 US
Title (EN) III-N DEVICE STRUCTURES AND METHODS
(FR) STRUCTURES DE DISPOSITIF III-N ET PROCÉDÉS
Abstract: front page image
(EN)A III-N device is described with a III-N layer, an electrode thereon, a passivation layer adjacent the III-N layer and electrode, a thick insulating layer adjacent the passivation layer and electrode, a high thermal conductivity carrier capable of transferring substantial heat away from the III-N device, and a bonding layer between the thick insulating layer and the carrier. The bonding layer attaches the thick insulating layer to the carrier. The thick insulating layer can have a precisely controlled thickness and be thermally conductive.
(FR)L'invention porte sur un dispositif III-N qui comprend une couche de nitrure du groupe III (III-N), une électrode sur celle-ci, une couche de passivation adjacente à la couche III-N et à l'électrode, une couche isolante épaisse, adjacente à la couche de passivation et à l'électrode, un support à forte conductivité thermique apte à transférer une quantité importante de chaleur hors du dispositif III-N, et une couche de liaison entre la couche isolante épaisse et le support. La couche de liaison fixe la couche isolante épaisse au support. La couche isolante épaisse, qui peut avoir une épaisseur précisément maîtrisée, peut être thermiquement conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)