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1. (WO2012106214) PLASMA TREATMENT OF TCO LAYERS FOR SILICON THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/106214    International Application No.:    PCT/US2012/023001
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 27.01.2012
IPC:
H01L 31/042 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
AHMED, Khaled [US/US]; (US) (For US Only).
SCHUEGRAF, Klaus [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: AHMED, Khaled; (US).
SCHUEGRAF, Klaus; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/439,162 03.02.2011 US
Title (EN) PLASMA TREATMENT OF TCO LAYERS FOR SILICON THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) TRAITEMENT AU PLASMA DE COUCHES D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT POUR DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES À COUCHES MINCES DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention generally provide methods for forming a silicon-based photovoltaic (PV) device containing a transparent conductive oxide (TCO) layer that is exposed to a very high frequency (VHF) plasma. In one embodiment, a method includes depositing a TCO layer on an underlying surface, such as a transparent substrate, and exposing the TCO layer to a VHF plasma to form a treated surface on the TCO layer during a plasma treatment process. The VHF plasma is generated by ionizing a process gas containing hydrogen and nitrous oxide at an excitation frequency within a range from about 30 MHz to about 300 MHz. The method further includes forming a p-i-n junction over the TCO layer, wherein the p-i-n junction contains a p-type Si-based layer disposed on the treated surface of the TCO layer. In some examples, the TCO layer contains zinc oxide and the p-i-n junction contains amorphous silicon.
(FR)L'invention concerne de manière générale des procédés de formation d'un dispositif photovoltaïque à base de silicium contenant une couche d'oxyde conducteur transparent (TCO) qui est exposée à un plasma à très haute fréquence (VHF). Dans un mode de réalisation, un procédé comprend le dépôt d'une couche de TCO sur une surface sous-jacente, telle qu'un substrat transparent, et l'exposition de la couche de TCO à un plasma VHF afin de former une surface traitée sur la couche de TCO pendant un processus de traitement plasma. Le plasma VHF est produit en ionisant un gaz de traitement contenant de l'hydrogène et de l'oxyde nitreux à une fréquence d'excitation comprise entre environ 30 MHz et environ 300 MHz. Le procédé comprend en outre la formation d'une jonction p-i-n sur la couche de TCO, la jonction p-i-n contenant une couche à base de Si de type p disposée sur la surface traitée de la couche de TCO. Dans certains exemples, la couche de TCO contient de l'oxyde de zinc et la jonction p-i-n contient du silicium amorphe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)