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1. (WO2012106101) A SCHOTTKY BARRIER DIODE, A METHOD OF FORMING THE DIODE AND A DESIGN STRUCTURE FOR THE DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/106101    International Application No.:    PCT/US2012/021483
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 17.01.2012
IPC:
H01L 29/872 (2006.01), H01L 21/328 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
RASSEL, Robert, M. [US/US]; (US) (For US Only).
STIDHAM, Mark, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RASSEL, Robert, M.; (US).
STIDHAM, Mark, E.; (US)
Agent: CANALE, Anthony, J.; International Business Machines Corporation Intellectual Property Law 972e 1000 River Street Essex Junction, VT 05152 (US)
Priority Data:
13/019,716 02.02.2011 US
Title (EN) A SCHOTTKY BARRIER DIODE, A METHOD OF FORMING THE DIODE AND A DESIGN STRUCTURE FOR THE DIODE
(FR) DIODE BARRIÈRE DE SCHOTTKY, PROCÉDÉ DE FORMATION DE LA DIODE ET STRUCTURE DE CONCEPTION POUR LA DIODE
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are embodiments of a Schottky barrier diode (100). This Schottky barrier diode can be formed in a semiconductor substrate (101) having a doped region (110) with a first conductivity type. A trench isolation structure (120) can laterally surround a section (111) of the doped region at the top surface (102) of the substrate. A semiconductor layer (150) can be positioned on the top surface of the substrate. This semiconductor layer can have a Schottky barrier portion (151) over the defined section (111) of the doped region and a guardring portion (152) over the trench isolation structure laterally surrounding the Schottky barrier portion. The Schottky barrier portion can have the first conductivity type and the guarding portion can have a second conductivity type different from the first conductivity type. A metal silicide layer (140) can overlie the semiconductor layer. Also disclosed are embodiments of a method of forming this Schottky barrier diode and of a design structure for the Schottky barrier diode.
(FR)L'invention concerne des modes de réalisation d'une diode barrière de Schottky (100). Cette diode barrière de Schottky peut être formée dans un substrat semiconducteur (101) présentant une région dopée (110) d'un premier type de conductivité. Une structure d'isolation en tranchée (120) peut entourer latéralement une section (111) de la région dopée sur la surface supérieure (102) du substrat. Une couche semiconductrice (150) peut être placée sur la surface supérieure du substrat. La couche semiconductrice peut avoir une partie de barrière Schottky (151) sur la section définie (111) de la région dopée et une partie d'anneau de garde (152) au-dessus de la structure d'isolation en tranchée qui entoure latéralement la partie de barrière Schottky. La partie de barrière Schottky peut avoir le premier type de conductivité et la partie d'anneau de garde peut avoir un second type de conductivité, différent du premier type de conductivité. Une couche de siliciure métallique (140) peut recouvrir la couche semiconductrice. L'invention concerne en outre des modes de réalisation d'un procédé de formation de cette diode barrière de Schottky et une structure de conception pour la diode barrière de Schottky.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)