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1. (WO2012106071) ARTICLE AND METHOD FOR FORMING LARGE GRAIN POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/106071    International Application No.:    PCT/US2012/020695
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 10.01.2012
IPC:
C30B 11/14 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831 (US) (For All Designated States Except US).
MAZUMDER, Prantik [US/US]; (US) (For US Only).
SENARATNE, Wageesha [LK/US]; (US) (For US Only).
WOOD, Donald [GB/BE]; (BE) (For US Only)
Inventors: MAZUMDER, Prantik; (US).
SENARATNE, Wageesha; (US).
WOOD, Donald; (BE)
Agent: RUSSELL, Michael W; Corning Incorporated Intellectual Property Department SP-Ti-03-01 Corning, New York 14831 (US)
Priority Data:
13/017,453 31.01.2011 US
Title (EN) ARTICLE AND METHOD FOR FORMING LARGE GRAIN POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS
(FR) ARTICLE ET PROCÉDÉ POUR LA FORMATION DE COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN À GROS GRAINS
Abstract: front page image
(EN)A templated mold comprises a mold body formed from a mold material. The mold body has at least one major surface with a patterned layer formed from a patterning material disposed over the major surface. The patterned layer defines a high nucleation energy barrier surface and a plurality of nucleation surfaces, such that a contact angle of a molten semiconducting material with the nucleation surfaces is less than a contact angle of the molten semiconducting material with the high nucleation energy barrier surface, and the nucleation surfaces are formed from either the mold material or the patterning material.
(FR)L'invention porte sur un moule gabarié comprenant un corps de moule formé à partir d'un matériau de moule. Le corps de moule présente au moins une surface principale dotée d'une couche à motifs formée à partir d'un matériau de formation de motifs disposé sur la surface principale. La couche à motifs délimite une surface barrière d'énergie de nucléation élevée et une pluralité de surfaces de nucléation, de façon telle qu'un angle de contact d'un matériau semi-conducteur fondu avec les surfaces de nucléation est inférieur à un angle de contact du matériau semi-conducteur fondu avec la surface barrière d'énergie de nucléation élevée et les surfaces de nucléation sont formées à partir soit du matériau de moule soit du matériau de formation de motifs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)