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1. (WO2012105899) SIC BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH OVERGROWN EMITTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/105899    International Application No.:    PCT/SE2012/050097
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 31.01.2012
IPC:
H01L 29/732 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01)
Applicants: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 3030 Orchard Parkway San Jose, California 95134 (US) (For All Designated States Except US).
KONSTANTINOV, Andrei [SE/SE]; (US) (For US Only)
Inventors: KONSTANTINOV, Andrei; (US)
Agent: AWAPATENT AB; Box 45086 S-104 30 Stockholm (SE)
Priority Data:
1150065-9 31.01.2011 SE
61/437,835 31.01.2011 US
Title (EN) SIC BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH OVERGROWN EMITTER
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À JONCTIONS À BASE DE CARBURE DE SILICIUM AVEC ÉMETTEUR FORMÉ PAR RECOUVREMENT
Abstract: front page image
(EN)New designs for silicon carbide (SiC) bipolar junction transistors (BJTs) and new methods of manufacturing such SiC BJTs are provided. The SiC BJT comprises a collector region (220), a base region (240) and an emitter region (260) arranged as a stack. The emitter region forms an elevated structure defined by outer sidewalls (265) on top of the stack. The portion of the base region interfacing the emitter region defines the intrinsic base region (245). Further, the intrinsic base region comprises a first portion (246) laterally spaced away from the outer sidewalls of the emitter region by a second portion (247) having a dopant dose higher than that of the first portion. The present invention is advantageous in that SiC BJTs with improved blocking capabilities and still sufficiently high current gain are provided.
(FR)Cette invention concerne de nouvelles conceptions pour des transistors bipolaires à jonctions (BJT) à base de carbure de silicium (SiC), ainsi que de nouveaux procédés de fabrication de tels BJT à base de SiC. Ledit BJT à base de SiC comprend une région de collecteur (220), une région de base (240) et une région d'émetteur (260) agencées en forme d'empilement. Ladite région d'émetteur forme une structure élevée définie par des parois latérales extérieures (265) au-dessus de l'empilement. La partie de la région de base faisant interface avec la région d'émetteur définit la région de base intrinsèque (245). En outre, la région de base intrinsèque comprend une première partie (246) latéralement espacée des parois latérales extérieures de la région d'émetteur par une seconde partie (247) qui présente une teneur en dopant plus élevée que celle de la première partie. La présente invention est avantageuse en ce que des BJT à base de SiC présentant des capacités de blocage améliorées et un gain en courant suffisamment élevé sont obtenus.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)