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1. (WO2012105698) SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE FILM, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, AND REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/105698    International Application No.:    PCT/JP2012/052542
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 03.02.2012
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 1/24 (2012.01)
Applicants: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (For All Designated States Except US).
MAESHIGE, Kazunobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAYASHI, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UNO, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MAESHIGE, Kazunobu; (JP).
HAYASHI, Kazuyuki; (JP).
UNO, Toshiyuki; (JP)
Agent: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Priority Data:
2011-022769 04.02.2011 JP
Title (EN) SUBSTRATE WITH CONDUCTIVE FILM, SUBSTRATE WITH MULTILAYER REFLECTION FILM, AND REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY
(FR) SUBSTRAT À PELLICULE CONDUCTRICE, SUBSTRAT À PELLICULE DE RÉFLEXION MULTICOUCHE, ET ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANTE POUR LA LITHOGRAPHIE AUX UVE
(JA) 導電膜付基板、多層反射膜付基板、およびEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク
Abstract: front page image
(EN)Provided is a substrate with a conductive film for EUV mask blanks, which is capable of suppressing substrate deformation as a result of film stress in EUV mask blanks. The conductive film exhibits excellent adhesion with electrostatic chucks and excellent surface smoothness, along with low sheet resistance. A substrate with a conductive film is used in the production of reflective mask blanks for EUV lithography, wherein the conductive film is formed on the substrate. The substrate is characterized in that the conductive film has a layer (lower layer) where the conductive film is formed on the substrate side thereof, and at least two layers (upper layers) formed on the lower layer, with the lower layer of the conductive film containing chromium (Cr), oxygen (O), and hydrogen (H), and the upper layer of the conductive film containing chromium (Cr), nitrogen (N), and hydrogen (H).
(FR)L'invention concerne un substrat comportant une pellicule conductrice pour ébauches de masque aux UVE, qui est capable de supprimer la déformation du substrat en résultat de la contrainte de pellicule dans les ébauches de masque aux UVE. La pellicule conductrice présente une excellente adhésion avec les fixations électrostatiques et un excellent caractère lisse à la surface, ainsi qu'une faible résistance de feuille. Un substrat comportant une pellicule conductrice est utilisé dans la production d'ébauches de masque réfléchissantes pour la lithographie aux UVE, la pellicule conductrice étant formée sur le substrat. Le substrat est caractérisé en ce que la pellicule conductrice a une couche (couche inférieure) où la pellicule conductrice est formée du côté du substrat, et au moins deux couches (couches supérieures) formées sur la couche inférieure, la couche inférieure de la pellicule conductrice contenant du chrome (Cr), de l'oxygène (O), et de l'hydrogène (H), et les couches supérieures de la pellicule conductrice contenant du chrome (Cr), de l'azote (N), et de l'hydrogène (H).
(JA) シート抵抗が低く、表面平滑性に優れ、かつ、静電チャックとの密着性に優れた導電膜を有し、さらに、EUVマスクブランクでの膜応力による基板の変形を抑制できるEUVマスクブランク用の導電膜付基板の提供。 基板上に導電膜が形成された、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記導電膜が、基板側に形成される層(下層)と、前記下層の上に形成される層(上層)の少なくとも二層を有し、前記導電膜の下層が、クロム(Cr)、酸素(O)および水素(H)を含有し、前記導電膜の上層が、クロム(Cr)、窒素(N)および水素(H)を含有することを特徴とする導電膜付基板。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)