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1. (WO2012105611) SEMICONDUCTOR POWER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/105611    International Application No.:    PCT/JP2012/052290
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 01.02.2012
IPC:
H01L 29/47 (2006.01), H01L 21/283 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKANO, Yuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKANO, Yuki; (JP)
Agent: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
Priority Data:
2011-020729 02.02.2011 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR POWER DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF
(JA) 半導体パワーデバイスおよびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This semiconductor power device includes: a first electrode and a second electrode; a breakdown voltage-sustaining layer comprising a semiconductor which has a prescribed thickness and impurity concentration, is bonded to the first electrode and the second electrode, and has an active region for accommodating the movement of a carrier for producing electric conductivity between the first electrode and the second electrode; and an insulating film formed on the breakdown voltage-sustaining layer, and having, in the section contacting the breakdown voltage-sustaining layer, a high dielectric constant section with a higher dielectric constant than SiO2.
(FR)Dispositif de puissance à semi-conducteur qui comporte une première électrode et une seconde électrode, une couche de tenue à la tension de claquage, comprenant un semi-conducteur qui présente une épaisseur et une concentration en impuretés prescrites, collée sur la première électrode et la seconde électrode et présentant une région active pour accueillir le mouvement d'un porteur destiné à produire une conductibilité électrique entre les première et seconde électrodes, et un film isolant formé sur la couche de tenue à la tension de claquage et possédant, dans la partie en contact avec la couche de tenue à la tension de claquage, une partie à constante diélectrique élevée, plus élevée que celle du SiO2.
(JA) 本発明の半導体パワーデバイスは、第1電極および第2電極と、所定の厚さおよび不純物濃度を有する半導体からなり、前記第1電極および前記第2電極が接合され、当該第1電極と第2電極との間に電気伝導を発生させるキャリヤが移動するための活性領域を有する耐圧保持層と、前記耐圧保持層上に形成され、前記耐圧保持層に接する部分に、SiOよりも高い誘電率を有する高誘電率部を有する絶縁膜とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)