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Pub. No.:    WO/2012/105508    International Application No.:    PCT/JP2012/052012
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 30.01.2012
H01L 21/027 (2006.01), G03F 1/24 (2012.01)
Applicants: ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (For All Designated States Except US).
HAYASHI, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MAESHIGE, Kazunobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UNO, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HAYASHI, Kazuyuki; (JP).
MAESHIGE, Kazunobu; (JP).
UNO, Toshiyuki; (JP)
Agent: SENMYO, Kenji; 4th Floor, SIA Kanda Square, 17, Kanda-konyacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010035 (JP)
Priority Data:
2011-019391 01.02.2011 JP
(JA) EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク
Abstract: front page image
(EN)Provided is an EUV mask blank that has sufficiently high etching selectivity in the etching conditions of an absorbent layer, does not have increased line-edge roughness after pattern formation and can obtain a high-resolution pattern. A reflective mask blank for EUV lithography formed of a reflecting layer for the reflection of EUV light, an absorbent layer for the absorption of EUV light, and a hard-mask layer on a substrate, in this order, being characterized in that the absorbent layer contains at least one of tantalum (Ta) and palladium (Pd) as a main component, and the hard-mask layer contains chromium (Cr), either one of nitrogen (N) and oxygen (O), and hydrogen (H), wherein the total content percentage of Cr and either one of N and O is 85 to 99.9 at% and the content percentage of H is 0.1 to 15 at%.
(FR)L'invention concerne une ébauche de masque aux UVE dont la sélectivité à la gravure est suffisamment haute dans les conditions de gravure d'une couche absorbante, dont la rugosité des arêtes de ligne n'augmente pas après la formation de motif et qui peut obtenir un motif à haute résolution. Elle concerne une ébauche de masque réfléchissante pour la lithographie aux UVE formée d'une couche réfléchissante pour la réflexion de la lumière UVE, d'une couche absorbante pour l'absorption de la lumière UVE, et d'une couche de masque dur sur un substrat, dans cet ordre, étant caractérisée en ce que la couche absorbante contient au moins un élément sélectionné entre le tantale (Ta) et le palladium (Pd) comme composant principal, et en ce que la couche de masque dur contient du chrome (Cr), l'un des deux éléments azote (N) et oxygène (O) et de l'hydrogène (H), la teneur totale en pourcentage de Cr et de N ou de O étant comprise entre 85 et 99,9 % atomiques et la teneur en H entre 0,1 et 15 % atomiques.
(JA) 吸収層のエッチング条件におけるエッチング選択比が十分高く、かつパターン形成後のラインエッジラフネスが大きくなることがなく、高解像度のパターンを得ることができるEUVマスクブランクの提供。 基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収層と、ハードマスク層と、が、この順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収層が、タンタル(Ta)およびパラジウム(Pd)のうち少なくとも一方を主成分とし、前記ハードマスク層が、クロム(Cr)と、窒素(N)および酸素(O)のいずれか一方と、水素(H)と、を含有し、前記ハードマスク層における、Crと、NおよびOのいずれか一方と、の合計含有率が85~99.9at%であり、Hの含有率が0.1~15at%であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)