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1. (WO2012105232) DATA READ METHOD OF NON-VOLATILE RECORDING ELEMENT AND NON-VOLATILE RECORDING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/105232    International Application No.:    PCT/JP2012/000608
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 31.01.2012
Chapter 2 Demand Filed:    29.06.2012    
IPC:
G11C 13/00 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
KANZAWA, Yoshihiko; (For US Only).
TAKAGI, Takeshi; (For US Only)
Inventors: KANZAWA, Yoshihiko; .
TAKAGI, Takeshi;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2011-021135 02.02.2011 JP
Title (EN) DATA READ METHOD OF NON-VOLATILE RECORDING ELEMENT AND NON-VOLATILE RECORDING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE LECTURE DE DONNÉES D'ÉLÉMENT D'ENREGISTREMENT NON VOLATIL ET DISPOSITIF D'ENREGISTREMENT NON VOLATIL
(JA) 不揮発性記憶素子のデータ読み出し方法及び不揮発性記憶装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a data read method that, in a variable-resistance non-volatile recording element, is difficult to be affected by the phenomenon of resistance value fluctuations during data reading. The data read method of a variable-resistance non-volatile recording element (100) contains: a detection step (S10) wherein the non-volatile recording element (100), which can assume a low resistance state (RL) and a high resistance state (RH), detects the current value (IREAD) flowing under the imposition of a set voltage; and, a current reference level (Iref) being prescribed as (IRL+IRH)/2 < Iref < IRL, distinguishment steps (S11-S13) wherein when the current value (IREAD) detected in the detection step (S10) is less than the current reference level (Iref), the resistance state of the non-volatile recording element (100) is distinguished (S12) to be the high resistance state, and meanwhile, when the current value (IREAD) detected in the detection step is greater than the current reference level (Iref), the resistance state of the non-volatile recording element is distinguished (S13) to be the low resistance state.
(FR)L'invention porte sur un procédé de lecture de données qui, dans un élément d'enregistrement non volatil à résistance variable, peut difficilement être affecté par le phénomène de fluctuations de valeur de résistance durant une lecture de données. Le procédé de lecture de données d'un élément d'enregistrement non volatil à résistance variable (100) comprend : une étape de détection (S10) à laquelle l'élément d'enregistrement non volatil (100), qui peut prendre un état de résistance basse (RL) et un état de résistance haute (RH), détecte la valeur de courant (IREAD) circulant lorsqu'une tension de consigne est imposée ; et, un niveau de référence de courant (Iref) étant prescrit qui vérifie (IRL+IRH)/2 < Iref < IRL, des étapes de distinction (S11-S13) auxquelles, lorsque la valeur de courant (IREAD) détectée à l'étape de détection (S10) est inférieure au niveau de référence de courant (Iref), l'état de résistance de l'élément d'enregistrement non volatil (100) est distingué (S12) comme étant l'état de résistance haute, et par ailleurs, lorsque la valeur de courant (IREAD) détectée à l'étape de détection est supérieure au niveau de référence de courant (Iref), l'état de résistance de l'élément d'enregistrement non volatil est distingué (S13) comme étant l'état de résistance basse.
(JA)抵抗変化型の不揮発性記憶素子において、データの読み出し時に抵抗値のゆらぎ現象の影響を受けにくいデータの読み出し方法を提供する。抵抗変化型の不揮発性記憶素子(100)のデータ読み出し方法であって、低抵抗状態RLと高抵抗状態RHとをとり得る不揮発性記憶素子(100)が一定電圧の印加の下で流れる電流値IREADを検出する検出ステップ(S10)と、電流リファレンスレベルIrefを、(IRL+IRH)/2<Iref<IRLと定め、検出ステップ(S10)で検出された電流値IREADが電流リファレンスレベルIrefよりも小さい場合に、不揮発性記憶素子(100)の抵抗状態を高抵抗状態と判別し(S12)、一方、検出ステップで検出された電流値IREADが電流リファレンスレベルIrefよりも大きい場合に、不揮発性記憶素子の抵抗状態を低抵抗状態と判別する(S13)判別ステップ(S11~S13)とを含む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)