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1. (WO2012105214) METHOD FOR MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/105214    International Application No.:    PCT/JP2012/000559
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 30.01.2012
Chapter 2 Demand Filed:    06.06.2012    
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NINOMIYA, Takeki; (For US Only).
HAYAKAWA, Yukio; (For US Only).
MIKAWA, Takumi; (For US Only).
TAKAGI, Takeshi; (For US Only)
Inventors: NINOMIYA, Takeki; .
HAYAKAWA, Yukio; .
MIKAWA, Takumi; .
TAKAGI, Takeshi;
Agent: NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg.,3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2011-019104 31.01.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE VARIABLE
(JA) 抵抗変化型素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a variable resistance element that can improve the endurance characteristics of nonvolatile storage. This method for manufacturing a variable resistance element (112) comprises: a step (A) for forming a first electrode material layer (105M) on a substrate (100); a step (B) for forming a first tantalum oxide material layer (106aF); a step (C) for forming a second tantalum oxide material layer (106bF); a step (D) for forming a second electrode material layer (107M); and a step (T) for carrying out heat treatment of at least the first tantalum oxide material layer (106aF) after the step (B) for forming the first tantalum oxide material layer (106aF) and before the step (D) for forming the second electrode material layer (107M). The oxygen content of either of the first tantalum oxide material layer (106aF) or the second tantalum oxide material layer (106bF) is higher than the oxygen content of the other.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de résistance variable qui permet d'améliorer les caractéristiques d'endurance d'une mémoire non volatile. Ce procédé de fabrication d'un élément de résistance variable (112) comprend : une étape (A) de formation d'une première couche (105M) de matière d'électrode sur un substrat (100) ; une étape (B) de formation d'une première couche (106aF) de matière d'oxyde de tantale ; une étape (C) de formation d'une seconde couche (106bF) de matière d'oxyde de tantale ; une étape (D) de formation d'une seconde couche (107M) de matière d'électrode ; et une étape (T) de mise en œuvre d'un traitement thermique d'au moins la première couche (106aF) de matière d'oxyde de tantale après l'étape (B) de formation de la première couche (106aF) de matière d'oxyde de tantale et avant l'étape (D) de formation de la seconde couche (107M) de matière d'électrode. La teneur en oxygène de l'une ou l'autre de la première couche (106aF) de matière d'oxyde de tantale et de la seconde couche (106bF) de matière d'oxyde de tantale est supérieure à la teneur en oxygène de l'autre.
(JA) 不揮発性記憶装置のエンデュランス特性を改善することが可能な、抵抗変化型素子の製造方法を提供する。 抵抗変化型素子(112)の製造方法は、基板(100)上に第1電極材料層(105M)を形成する工程(A)と、第1のタンタル酸化物材料層(106aF)を形成する工程(B)と、第2のタンタル酸化物材料層(106bF)を形成する工程(C)と、第2電極材料層(107M)を形成する工程(D)と、第1のタンタル酸化物材料層(106aF)を形成する工程(B)の後、第2電極材料層(107M)を形成する工程(D)の前に、少なくとも第1のタンタル酸化物材料層(106aF)に熱処理を行う工程(T)とを含み、第1のタンタル酸化物材料層(106aF)及び第2のタンタル酸化物材料層(106bF)のいずれか一方の酸素含有率は、他方の酸素含有率よりも高い。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)