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1. (WO2012105136) Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/105136    International Application No.:    PCT/JP2011/079460
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 20.12.2011
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), C22C 21/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (For All Designated States Except US).
KOBELCO RESEARCH INSTITUTE,INC. [JP/JP]; 1-5-1, Wakinohama-kaigan-dori, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6510073 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUMOTO, Katsushi; (For US Only).
NAKAI, Junichi; (For US Only).
TAKAGI, Toshiaki; (For US Only)
Inventors: MATSUMOTO, Katsushi; .
NAKAI, Junichi; .
TAKAGI, Toshiaki;
Agent: UEKI, Kyuichi; Fujita-Toyobo Building 9th floor, 1-16, Dojima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003 (JP)
Priority Data:
2011-023224 04.02.2011 JP
Title (EN) Al-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND Cu-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN ALLIAGE À BASE D'ALUMINIUM ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN ALLIAGE À BASE DE CUIVRE
(JA) Al基合金スパッタリングターゲット、及びCu基合金スパッタリングターゲット
Abstract: front page image
(EN)Satisfying the conditions of equations (1) and/or (2) makes it possible to increase the deposition rate during pre-sputtering and during subsequent sputtering onto a substrate or the like, and to minimize splashing and other sputtering defects, where P represents the total area ratio of crystal orientations <001>±15°, <011>±15°, <111>±15°, <112>±15°, and <012>±15° in the direction normal to a sputtering surface located at a depth of 1 mm or less from the outermost surface in an Al-based alloy or a Cu-based alloy sputtering target. (1) Area ratio of <011>±15° relative to P (PA): ≤40% (2) Total area ratio of <001>±15° and <111>±15° relative to P (PB): ≥20%.
(FR)Selon la présente invention, la satisfaction des conditions des équations (1) et/ou (2) permet d'augmenter la vitesse de dépôt pendant une pré-pulvérisation cathodique et pendant une pulvérisation cathodique ultérieure sur un substrat ou analogue et de réduire à un minimum les éclaboussures ou d'autres défauts de pulvérisation cathodique, P représentant le rapport de superficie total des orientations cristallines <001> ± 15°, <011> ± 15°, <111> ± 15°, <112> ± 15° et <012> ± 15° dans la direction normale par rapport à une surface de pulvérisation cathodique située à une profondeur égale ou inférieure à 1 mm par rapport à la surface la plus extérieure dans une cible de pulvérisation cathodique en alliage à base d'aluminium (Al) ou en alliage à base de cuivre (Cu). (1) Le rapport de superficie de <011> ± 15° par rapport à P (PA) : ≤ 40% (2) Le rapport de superficie total de <001> ± 15° et de <111> ± 15° par rapport à P (PB) : ≥ 20%.
(JA)Al基合金またはCu基合金スパッタリングターゲットの最表面から1mm以内の深さのスパッタリング面法線方向の結晶方位<001>±15°と、<011>±15°と、<111>±15°と、<112>±15°と、<012>±15°との合計面積率をP値としたとき、下記(1)および/または(2)の要件を満足するものとすることにより、プレスパッタリング時、及び続いて行われる基板等へのスパッタリング時の成膜速度が高められ、且つスプラッシュなどのスパッタリング不良を抑制し得る。(1)前記P値に対する、<011>±15°の面積率PA:40%以下、(2)前記P値に対する、<001>±15°と111>±15°との合計面積率PB:20%以上
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)