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1. (WO2012104969) POWER CONVERSION APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/104969    International Application No.:    PCT/JP2011/051943
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 31.01.2011
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
Applicants: Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (For All Designated States Except US).
NOJIRI, Yuji [--/JP]; (JP) (For US Only).
KATO, Masanori [--/JP]; (JP) (For US Only).
IMANAKA, Akira [--/JP]; (JP) (For US Only).
HARAKAWA, Masaya [--/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NOJIRI, Yuji; (JP).
KATO, Masanori; (JP).
IMANAKA, Akira; (JP).
HARAKAWA, Masaya; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; Sakai International Patent Office, Kasumigaseki Building, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006020 (JP)
Priority Data:
Title (EN) POWER CONVERSION APPARATUS
(FR) APPAREIL DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
Abstract: front page image
(EN)A three-phase power conversion apparatus has connected in parallel three voltage-type bridge circuits, each of which has an upper-arm / lower-arm construction of switching elements connected in series, said switching element comprising a transistor and a free wheeling diode connected in inverse-parallel to the transistor. In this three-phase power conversion apparatus, a SiC-SBD (SiC-Schottky-Barrier Diode) is used for a free wheeling diode (19a) of an upper arm of a U-phase voltage-type bridge circuit, and a Si-FRD (Si-Fast Recovery Diode) is used for a free wheeling diode (2d) of a lower arm thereof. Meanwhile, a Si-FRD is used for free wheeling diodes (2b, 2e) of upper and lower arms of a V-phase voltage-type bridge circuit, and for free wheeling diodes (2c, 2f) of upper and lower arms of a W-phase voltage-type bridge circuit.
(FR)L'invention porte sur un appareil de conversion de puissance triphasé qui comprend trois circuits en pont du type tension connectés en parallèle, dont chacun présente une construction branche supérieure/branche inférieure d'éléments de commutation connectés en série, ledit élément de commutation comprenant un transistor et une diode de roue libre connectée tête-bêche au transistor. Dans cet appareil de conversion de puissance triphasé, une SiC-SBD (diode à barrière de Schottky au SiC) est utilisée pour une diode de roue libre (19a) d'une branche supérieure d'un circuit en pont du type tension de phase U, et une SI-FRD (diode à recouvrement rapide au Si) est utilisée pour une diode de roue libre (2d) d'une branche inférieure de celui-ci. Par ailleurs, une Si-FRD est utilisée pour des diodes de roue libre (2b, 2e) de branches supérieure et inférieure d'un circuit en pont du type tension de phase V, et pour des diodes de roue libre (2c, 2f) de branches supérieure et inférieure d'un circuit en pont du type tension de phase W.
(JA) トランジスタおよび、このトランジスタに逆並列接続された還流ダイオードを有するスイッチング素子を直列接続した上下アーム構成の三つの電圧形ブリッジ回路を並列に接続した三相の電力変換装置において、U相の電圧形ブリッジ回路における上アームの還流ダイオード19aをSiC-SBD(SiC-Schottky-Barrier Diode)で構成し、下アームの還流ダイオード2dをSi-FRD(Si-Fast Recovery Diode)で構成する。一方、V相の電圧形ブリッジ回路における上下アームの還流ダイオード2b,2eおよび、W相の電圧形ブリッジ回路における上下アームの還流ダイオード2c,2fについてはSi-FRDで構成する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)