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1. (WO2012104322) SILICON CARBIDE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COMPRISING SHIELDING REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/104322    International Application No.:    PCT/EP2012/051606
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 31.01.2012
Chapter 2 Demand Filed:    13.11.2012    
IPC:
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01)
Applicants: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 3030 Orchard Parkway San Jose, California 95134 (US) (For All Designated States Except US).
KONSTANTINOV, Andrei [SE/SE]; (US) (For US Only)
Inventors: KONSTANTINOV, Andrei; (US)
Agent: ENGDAHL, Stefan; AWAPATENT AB P.O. Box 45086 S-104 30 Stockholm (SE)
Priority Data:
1150065-9 31.01.2011 SE
61/437,835 31.01.2011 US
Title (EN) SILICON CARBIDE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR COMPRISING SHIELDING REGIONS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) TRANSISTOR À JONCTION BIPOLAIRE AU CARBURE DE SILICIUM COMPRENANT DES ZONES DE BLINDAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A silicon carbide (SiC) bipolar junction transistor (BJT) and a method of manufacturing such a SiC BJT is provided. The SiC BJT comprises a collector region (220) having a first conductivity type, a base region (240) having a second conductivity type opposite to the first conductivity type, and an emitter region (260) having the first conductivity type arranged as a stack. The intrinsic base region (245), defined by the portion of the base region interfacing the emitter region, comprises a first portion (246) having a first dopant dose. The SiC BJT further comprises two shielding regions (244) having the second conductivity type and a second dopant dose being higher than the first dopant dose. The shielding regions laterally surround the first portion and vertically extend further down in the stack than the first portion. The invention is advantageous in that SiC BJTs with improved blocking capabilities and still sufficiently high current gain are provided.
(FR)L'invention concerne un transistor à jonction bipolaire (BJT) au carbure de silicium (SiC) et un procédé de fabrication d'un tel BJT au SiC. Le BJT au SiC comprend une zone de collecteur (220) ayant un premier type de conductivité, une zone de base (240) ayant un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité, et une zone d'émetteur (260) ayant le premier type de conductivité agencées en empilement. La zone de base intrinsèque (245), définie par la partie de la zone de base interfaçant la zone d'émetteur, comprend une première partie (246) ayant une première dose de dopant. Le BJT au SiC comprend en outre deux zones de blindage (244) ayant le second type de conductivité et une seconde dose de dopant qui est supérieure à la première dose de dopant. Les zones de blindage entourent latéralement la première partie et s'étendent verticalement plus bas dans l'empilement que la première partie. L'invention est avantageuse en ce que des BJT au SiC aux capacités de blocage améliorées et au gain de courant restant suffisamment élevé sont produits.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)