WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012104198) PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL AND A METHOD FOR THE PRODUCTION OF SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/104198    International Application No.:    PCT/EP2012/051243
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 26.01.2012
IPC:
H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
THAIDIGSMANN, Benjamin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
CLEMENT, Florian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WOLF, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BIRO, Daniel [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: THAIDIGSMANN, Benjamin; (DE).
CLEMENT, Florian; (DE).
WOLF, Andreas; (DE).
BIRO, Daniel; (DE)
Agent: DICKER, Jochen; c/o Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstraße 16 76133 Karlsruhe (DE)
Priority Data:
10 2011 010 077.6 01.02.2011 DE
Title (DE) PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL AND A METHOD FOR THE PRODUCTION OF SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle zur Umwandlung einfallender elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie, umfassend mindestens einen in einem Siliziumsubstrat ausgebildeten Basisbereich eines Basisdotierungstyps; mindestens einen Emitterbereich eines Emitterdotierungstyps, welcher Emitterdotierungstyp ein zu dem Basisdotierungstyp entgegengesetzter Dotierungstyp ist; mindestens eine metallische Basiskontaktierungsstruktur, welche Basiskontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Basisbereich verbunden ist und mindestens eine metallische Emitterkontaktierungsstruktur, welche Emitterkontaktierungsstruktur elektrisch leitend mit dem Emitterbereich verbunden ist, wobei Basisbereich und Emitterbereich derart angeordnet sind, dass sich zwischen Basis- und Emitterbereich zumindest bereichsweise ein pn-Übergang ausbildet. Wesentlich ist, dass in einem Basisbypassbereich die Basiskontaktierungsstruktur den Emitterbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Basiskontaktierungsstruktur und Emitterbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist und/oder dass in einem Emitterbypassbereich die Emitterkontaktierungsstruktur den Basisbereich überlappt und in diesem Überlappungsbereich ein diodenartiger Halbleiterkontakt zwischen Emitterkontaktierungsstruktur und Basisbereich ausgebildet ist, welcher Halbleiterkontakt als Metall-Halbleiterkontakt oder Metall-Isolator-Halbleiterkontakt ausgebildet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle.
(EN)The invention relates to a photovoltaic solar cell for converting incident electromagnetic radiation into electrical energy, comprising at least one base region of a base-doping type, designed in a silicon substrate; at least one emitter region of an emitter-doping type that is of an opposite doping type to the base-doping type; at least one metallic base-contacting structure connected, in an electrically conductive manner, to the base region, and at least one metallic emitter-contacting structure connected, in an electrically conductive manner, to the emitter region, the base region and emitter region being arranged in such a manner that a pn-junction is formed at least in some regions between said base and emitter regions. It is essential that the base‑contacting structure overlaps the emitter region in a base-bypass region and that in said overlap region, a diode-like semiconductor contact is designed between the base‑contacting structure and the emitter region, said semiconductor contact being designed as a metal semiconductor contact or as a metal-insulator-semiconductor contact, and/or that the emitter-contacting structure overlaps the base region in an emitter-bypass region and that in this overlap region, a diode-like semiconductor contact is designed between the emitter-contacting structure and the base region, said semiconductor contact being designed as a metal semiconductor contact or as a metal-insulator-semiconductor contact. The invention also relates to a method for producing a solar cell.
(FR)L'invention concerne une cellule solaire photovoltaïque pour convertir un rayonnement électromagnétique incident en énergie électrique, comprenant au moins une région de base d'un type de dopage de base formée dans un substrat de silicium, au moins une région d'émetteur d'un type de dopage d'émetteur, lequel type de dopage d'émetteur présente un type de dopage opposé au type de dopage de base, au moins une structure de contact de base métallique qui est reliée à la région de base de façon électriquement conductrice, ainsi qu'au moins une structure de contact d'émetteur métallique qui est reliée à la région d'émetteur de façon électriquement conductrice. La région de base et la région d'émetteur sont disposées de sorte qu'une jonction pn soit formée au moins par endroits entre la région de base et la région d'émetteur. L'invention se caractérise en ce que la structure de contact de base recouvre la région d'émetteur dans une région de dérivation de base et en ce qu'un contact semi-conducteur du type diode est formé dans cette région de recouvrement entre la structure de contact de base et la région d'émetteur, lequel contact semi-conducteur se présente sous la forme d'un contact semi-conducteur métal ou d'un contact semi-conducteur métal-isolant, et/ou en ce que la structure de contact d'émetteur recouvre la région de base dans une région de dérivation d'émetteur et en ce qu'un contact semi-conducteur du type diode est formé dans cette région de recouvrement entre la structure de contact d'émetteur et la région de base, lequel contact semi-conducteur se présente sous la forme d'un contact semi-conducteur métal ou d'un contact semi-conducteur métal-isolant. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une cellule solaire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)