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1. (WO2012103823) PHASE SHIFTER, COUPLER AND METHODS FOR THEIR PRODUCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/103823    International Application No.:    PCT/CN2012/072298
Publication Date: 09.08.2012 International Filing Date: 14.03.2012
IPC:
H01P 1/18 (2006.01)
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN/CN]; Huawei Administration Building Bantian, Longgang District Shenzhen, Guangdong 518129 (CN) (For All Designated States Except US).
SHANGHAI JIAO TONG UNIVERSITY [CN/CN]; 800 Dongchuan RD. Minhang District, Shanghai 200240 (CN) (For All Designated States Except US).
XU, Mu [CN/CN]; (CN) (For US Only).
GAO, Lei [CN/CN]; (CN) (For US Only).
SU, Yikai [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LI, Fei [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: XU, Mu; (CN).
GAO, Lei; (CN).
SU, Yikai; (CN).
LI, Fei; (CN)
Agent: BEIJING ZBSD PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 501/B, Fortune Building No.17 Daliushu Road Haidian District, Beijing 100081 (CN)
Priority Data:
Title (EN) PHASE SHIFTER, COUPLER AND METHODS FOR THEIR PRODUCTION
(FR) DÉPHASEUR, COUPLEUR ET PROCÉDÉS PERMETTANT LEUR PRODUCTION
(ZH) 一种移相器和耦合器及其制造方法
Abstract: front page image
(EN)A phase shifter, a coupler and methods for their production are provided by the embodiments of the present invention, which relates to the field of photonics, wherein the methods can reduce optical damage, improve the utilization ratio of the light field energy, and improve the response speed of device. The phase shifter comprises: a base silicon layer and an insulated layer covering the base silicon layer; a top silicon layer covering the insulated layer, wherein the top silicon layer includes two isolation grooves, which are separated by a common groove wall with each other, wherein the common groove wall is a waveguide, and the height of the waveguide is higher than the outside groove walls of the two isolation grooves; a first cathode metal layer and a second cathode metal layer covering two outside groove walls of the two isolation grooves respectively; an electro-optic polymer material layer covering the first cathode metal layer,the second cathode metal layer and the top silicon layer; an upper electrode formed on the top of the electro-optic polymer material layer, and the slits formed between the upper electrode and the waveguide and filled by the electro-optic polymer material layer; a second protect layer covering the upper electrode and the electro-optic polymer material layer. The embodiments of the present invention are applied to the electro-optic phase shift.
(FR)Les modes de réalisation de la présente invention, relative au domaine de la photonique, se rapportent à un déphaseur, à un coupleur et à des procédés permettant leur production, les procédés permettant de réduire les dégâts optiques, d'améliorer le taux d'utilisation de l'énergie du champ lumineux et d'améliorer la vitesse de réponse du dispositif. Le déphaseur comprend : une couche de silicium de base et une couche isolée qui recouvre la couche de silicium de base; une couche de silicium supérieure qui recouvre la couche isolée, la couche de silicium supérieure présentant deux rainures d'isolement qui sont séparées l'une de l'autre par une paroi de rainure commune, la paroi de rainure commune étant un guide d'ondes et la hauteur du guide d'ondes étant plus importante que celle des parois de rainure extérieures des deux rainures d'isolement; une première couche métallique de cathode et une seconde couche métallique de cathode recouvrant deux parois de rainure extérieures des deux rainures d'isolement, respectivement; une couche de matériau polymère électro-optique recouvrant la première couche métallique de cathode, la seconde couche métallique de cathode et la couche de silicium supérieure; une électrode supérieure formée sur la couche de matériau polymère électro-optique, et des fentes formées entre l'électrode supérieure et le guide d'ondes et remplies par la couche de matériau polymère électro-optique; une seconde couche de protection recouvrant l'électrode supérieure et la couche de matériau polymère électro-optique. Les modes de réalisation de la présente invention sont appliqués au déphasage électro-optique.
(ZH)本发明实施例提供一种移相器和耦合器及其制造方法,涉及光子学领域,能够减小光学损耗、提高光场能量利用率并提高器件响应速度。该移相器包括:底层硅层和覆盖底层硅层的绝缘层;覆盖绝缘层的顶层硅层,顶层硅层包括两个隔离槽,两个隔离槽被公共槽壁隔开,该公共槽壁即波导,波导的高度高于两个隔离槽的外侧槽壁;分别覆盖两个隔离槽的两个外侧槽壁的第一阴极金属层和第二阴极金属层;覆盖第一阴极金属层、第二阴极金属层和顶层硅层的电光聚合物材料层;形成在波导上方的电光聚合物材料层上方的上层电极,上层电极和波导之间形成有被电光聚合物材料层填充的狭缝;覆盖上层电极和电光聚合物材料层的第二保护层。本发明实施例应用于电光移相。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)