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Pub. No.:    WO/2012/103106    International Application No.:    PCT/US2012/022386
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 24.01.2012
G06F 1/00 (2006.01), G06F 1/26 (2006.01), G06F 13/14 (2006.01)
Applicants: RAMBUS INC. [US/US]; 1050 Enterprise Way, Suite 700 Sunnyvale, CA 94089 (US) (For All Designated States Except US).
AMIRKHANY, Amir [IR/US]; (US) (For US Only).
HUANG, Chaofeng [US/US]; (US)
Inventors: AMIRKHANY, Amir; (US).
HUANG, Chaofeng; (US)
Agent: BEHIEL, Arthur, J.; Silicon Edge Law Group LLP 6601 Koll Center Parkway, Suite 245 Pleasanton, CA 94566 (US)
Priority Data:
61/436,079 25.01.2011 US
Abstract: front page image
(EN)An integrated circuit supports multiple communication modes using different input/output (IO) voltages. The IC includes a low-voltage communication circuit operating at a low IO voltage in a low-voltage mode, and a high-voltage communication circuit operating at a high IO voltage in a high-voltage mode. The low- voltage communication circuit includes low-voltage transistors in a critical path that exhibits sensitivity to a destructive voltage less than the high IO voltage. The low-voltage communication circuit is therefore provided with protection circuitry to protect the low- voltage transistors from the high 10 voltage.
(FR)La présente invention se rapporte à un circuit intégré qui supporte de multiples modes de communication à l'aide de différentes tensions d'entrée/de sortie (E/S). Le circuit intégré comprend un circuit de communication basse tension qui fonctionne à une tension E/S basse dans un mode à basse tension, ainsi qu'un circuit de communication haute tension qui fonctionne à une tension E/S élevée dans un mode à haute tension. Le circuit de communication basse tension comprend des transistors basse tension sur un trajet critique qui présente une sensibilité à une tension destructive qui est inférieure à la tension E/S élevée. Par conséquent, le circuit de communication basse tension est pourvu d'un circuit de protection pour protéger les transistors basse tension de la tension E/S élevée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)