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1. (WO2012102892) PLASMA TREATMENT OF SILICON NITRIDE AND SILICON OXYNITRIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/102892    International Application No.:    PCT/US2012/021451
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 16.01.2012
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
ROGERS, Matthew, Scott [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ROGERS, Matthew, Scott; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, TX 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/436,530 26.01.2011 US
Title (EN) PLASMA TREATMENT OF SILICON NITRIDE AND SILICON OXYNITRIDE
(FR) TRAITEMENT PAR PLASMA DU NITRURE DE SILICIUM ET DE L'OXYNITRURE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a semiconductor device is disclosed. Nitrogen layers of an IPD stack are deposited using silane and a nitrogen plasma to yield a nitride layer plasma treated through its entire thickness. In addition to nitriding the bottom nitride layer of the stack, the middle nitride layer may also be nitrided. Depositing silicon from silane in a nitrogen plasma may be accomplished using high density plasma, ALD, or remote plasma processes. Elevated temperature may be used during deposition to reduce residual hydrogen in the deposited layer.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Les couches d'azote d'un empilement IPD sont déposées à l'aide de silane et d'un plasma d'azote pour obtenir une couche de nitrure traitée par plasma sur toute son épaisseur. En plus de la nitruration de la couche de nitrure inférieure de l'empilement, la couche de nitrure médiane peut également être nitrurée. Le dépôt de silicium à partir de silane dans un plasma d'azote peut être effectué à l'aide de procédés plasma haute densité, ALD, ou plasma à distance. Une température élevée peut être utilisée lors du dépôt pour réduire l'hydrogène résiduel dans la couche déposée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)