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1. (WO2012102755) CARBON ADDITION FOR LOW RESISTIVITY IN SITU DOPED SILICON EPITAXY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/102755    International Application No.:    PCT/US2011/045624
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 27.07.2011
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
YE, Zhiyuan [CN/US]; (US) (For US Only).
LI, Xuebin [CN/US]; (US) (For US Only).
CHOPRA, Saurabh [IN/US]; (US) (For US Only).
KIM, Yihwan [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: YE, Zhiyuan; (US).
LI, Xuebin; (US).
CHOPRA, Saurabh; (US).
KIM, Yihwan; (US)
Agent: PATTERSON, B. Todd; Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500 Houston, Texas 77056-6582 (US)
Priority Data:
61/437,436 28.01.2011 US
Title (EN) CARBON ADDITION FOR LOW RESISTIVITY IN SITU DOPED SILICON EPITAXY
(FR) AJOUT DE CARBONE POUR L'ÉPITAXIE DE SILICIUM DOPÉ IN SITU À FAIBLE RÉSISTIVITÉ
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the present invention generally relate to methods of forming epitaxial layers and devices having epitaxial layers. The methods generally include forming a first epitaxial layer including phosphorus and carbon on a substrate, and then forming a second epitaxial layer including phosphorus and carbon on the first epitaxial layer. The second epitaxial layer has a lower phosphorus concentration than the first epitaxial layer, which allows for selective etching of the second epitaxial layer and undesired amorphous silicon or polysilicon deposited during the depositions. The substrate is then exposed to an etchant to remove the second epitaxial layer and undesired amorphous silicon or polysilicon. The carbon present in the first and second epitaxial layers reduces phosphorus diffusion, which allows for higher phosphorus doping concentrations. The increased phosphorus concentrations reduce the resistivity of the final device. The devices include epitaxial layers having a resistivity of less than about 0.381 milliohm-centimeters.
(FR)D'une manière générale et selon les modes de réalisation, la présente invention concerne des procédés de formation de couches épitaxiales et des dispositifs comprenant des couches épitaxiales. De manière générale, les procédés comprennent la formation d'une première couche épitaxiale comprenant du phosphore et du carbone sur un substrat, suivie de la formation d'une seconde couche épitaxiale comprenant du phosphore et du carbone sur la première couche épitaxiale. La seconde couche épitaxiale a une concentration en phosphore inférieure à la première couche épitaxiale, ce qui permet une gravure sélective du phosphore et du carbone de la seconde couche épitaxiale et de silicium ou polysilicium amorphes indésirables déposés lors des phases de dépôt. Le substrat est ensuite exposé à un agent de gravure pour éliminer la seconde couche épitaxiale et le silicium ou polysilicium amorphes indésirables déposés. Le carbone présent dans les première et seconde couches épitaxiales réduit la diffusion du phosphore, permettant d'obtenir des concentrations de dopage au phosphore plus élevées. Les concentrations de phosphore accrues réduisent la résistivité à une valeur inférieure à environ 0,381 milli-ohm-centimètres.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)