WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012102292) METHOD FOR PRODUCING ELECTROSTATIC CAPACITANCE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/102292    International Application No.:    PCT/JP2012/051507
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 25.01.2012
IPC:
H01L 29/84 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), B81C 3/00 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01), G01P 15/18 (2013.01)
Applicants: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
TAURA, Takumi; (For US Only).
NAKATANI, Tomohiro; (For US Only).
OKUMURA, Shin; (For US Only).
GODA, Kazuo; (For US Only).
GOTO, Kouji; (For US Only).
YAJI, Hidekazu; (For US Only)
Inventors: TAURA, Takumi; .
NAKATANI, Tomohiro; .
OKUMURA, Shin; .
GODA, Kazuo; .
GOTO, Kouji; .
YAJI, Hidekazu;
Agent: ITO, Masakazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2011-015796 27.01.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING ELECTROSTATIC CAPACITANCE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À CAPACITÉ ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電容量式デバイスの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Penetrating silicon (23a, 23b, 24a, 24b) formed by causing silicon to penetrate in a manner so as to be exposed at both surfaces of an affixed-side substrate (2a) are considered affixed electrodes (20a, 20b, 21a, 21b), a metal film (25) is formed on the outside exposed surface of the penetrating silicon (23a, 23b, 24a, 24b), and a metal film (26) is formed in a manner so as to be separated from metal film (25) at a position other than the outside exposed surface of the penetrating silicon (23a, 23b, 24a, 24b) at the surface of the affixed-side substrate (2a). Also, during positive electrode connection of a mobile body substrate (1) and the affixed-side substrate (2a), using the metal films (25, 26), an electrical potential difference is provided between the affixed-side substrate (2a) and the mobile body substrate (1), while the penetrating silicon (23a, 23b, 24a, 24b) and the mobile body substrate (1) form in the same electrical potential.
(FR)La présente invention concerne des éléments de silicium pénétrants (23a, 23b, 24a, 24b) formés en amenant du silicium à pénétrer de façon à être exposé sur les deux surfaces d'un substrat à côté apposé (2a). Lesdits éléments sont considérés comme des électrodes apposées (20a, 20b, 21a, 21b), un film métallique (25) est formé sur la surface exposée externe des éléments de silicium pénétrants (23a, 23b, 24a, 24b) et un film métallique (26) est formé de façon à être séparé du film métallique (25) en une position différente de la surface exposée externe des éléments de silicium pénétrants (23a, 23b, 24a, 24b) à la surface du substrat à côté apposé (2a). De même, lors d'une connexion d'électrode positive d'un substrat de corps mobile (1) et du substrat à côté apposé (2a), à l'aide des films métalliques (25, 26), une différence de potentiel électrique est réalisée entre le substrat de côté apposé (2a) et le substrat de corps mobile (1), pendant que les éléments de silicium pénétrants (23a, 23b, 24a, 24b) et le substrat de corps mobile (1) se forment dans le même potentiel électrique.
(JA) 固定側基板2aの両面に露出するようにシリコンを貫通させて形成した貫通シリコン23a、23b、24a、24bを固定電極20a、20b、21a、21bとし、貫通シリコン23a、23b、24a、24bの外側露出面に金属膜25を成膜するとともに、固定側基板2aの表面における貫通シリコン23a、23b、24a、24bの外側露出面以外の部位に金属膜25と離間するように金属膜26を成膜する。そして、可動体基板1と固定側基板2aとを陽極接合する際に、金属膜25,26を用いて、固定側基板2aと可動体基板1との間に電位差を設ける一方、貫通シリコン23a、23b、24a、24bと可動体基板1とが同電位となるようにした。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)