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1. (WO2012102270) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/102270    International Application No.:    PCT/JP2012/051444
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 24.01.2012
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
Applicants: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAMOTO,Naohide [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASAI,Fumiteru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIGA,Goji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAMOTO,Naohide; (JP).
ASAI,Fumiteru; (JP).
SHIGA,Goji; (JP)
Agent: UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2011-015397 27.01.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose is to provide a method for producing semiconductor devices that makes it possible to efficiently laser-mark a film for the rear surface of a flip chip semiconductor. A method for producing semiconductor devices is provided with: a step (A) for preparing an adhesive layer-containing semiconductor rear surface film having a flip chip semiconductor rear surface film and a ring-shaped adhesive layer provided around the periphery of the flip chip semiconductor rear surface film; a step (B) for pasting a semiconductor wafer onto the flip chip semiconductor rear surface film in an area not having the adhesive layer layered thereon and more to the inside than the adhesive layer; a step (C) for pasting a dicing ring on the adhesive layer; and a step (D) for laser-marking the flip chip semiconductor rear surface film after completion of the step (B) and the step (C).
(FR)L'objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs offrant la possibilité de marquer efficacement au laser un film destiné à la surface arrière d'un semi-conducteur de puce à bosse. Un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs comprend une étape (A) permettant de préparer un film de surface arrière de semi-conducteur contenant une couche adhésive comportant un film de surface arrière de semi-conducteur de puce à bosse et une couche adhésive en forme d'anneau disposée autour de la périphérie du film de surface arrière de semi-conducteur de puce à bosse ; une étape (B) permettant de coller une tranche de semi-conducteur sur le film de surface arrière de semi-conducteur de puce à bosse dans une zone sur laquelle n'est pas disposée la couche adhésive et située davantage vers l'intérieur que la couche adhésive ; une étape (C) permettant de coller un anneau de découpe de puces sur la couche adhésive ; et une étape (D) permettant de marquer au laser le film de surface arrière de semi-conducteur de puce à bosse à la fin de l'étape (B) et de l'étape (C).
(JA)フリップチップ型半導体裏面用フィルムに効率よくレーザーマーキングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。半導体装置の製造方法であって、フリップチップ型半導体裏面用フィルムと、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの外周上に設けられたリング状の粘着剤層とを有する粘着剤層付き半導体裏面用フィルムを用意する工程Aと、粘着剤層よりも内側の、粘着剤層が積層されていないフリップチップ型半導体裏面用フィルム上に、半導体ウエハを貼り付ける工程Bと、粘着剤層にダイシングリングを貼り付ける工程Cと、工程B及び工程Cの後に、フリップチップ型半導体裏面用フィルムにレーザーマーキングを行う工程Dとを具備する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)