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1. (WO2012102261) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILMS, CONTAINING SILICON THAT BEARS DIKETONE-STRUCTURE-CONTAINING ORGANIC GROUP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/102261    International Application No.:    PCT/JP2012/051419
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 24.01.2012
IPC:
G03F 7/11 (2006.01), C08G 77/14 (2006.01), C08G 77/48 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054 (JP) (For All Designated States Except US).
KANNO, Yuta [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKUMA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAJIMA, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KANNO, Yuta; (JP).
SAKUMA, Daisuke; (JP).
NAKAJIMA, Makoto; (JP)
Agent: HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062 (JP)
Priority Data:
2011-012338 24.01.2011 JP
Title (EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILMS, CONTAINING SILICON THAT BEARS DIKETONE-STRUCTURE-CONTAINING ORGANIC GROUP
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER DES FILMS DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE QUI CONTIENNENT DU SILICIUM PORTANT UN GROUPE ORGANIQUE COMPORTANT UNE STRUCTURE DICÉTONE
(JA) ジケトン構造含有有機基を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a composition for forming lithographic resist underlayer films which are usable as hard masks. [Solution] A composition for forming lithographic resist underlayer films, which contains, as silane, a hydrolyzable organosilane, a hydrolyzed product thereof, or a hydrolytic condensate thereof, said silane containing a hydrolyzable organosilane represented by formula (1): [(R1)aSi(R2)(3-a)]b(R3) [wherein R3 is a group represented by formula (2), (3) or (4) (wherein at least one of R4, R5 and R6 is bonded to the Si atom either directly or through a connecting group); R1 is alkyl, aryl, aralkyl, halogenated alkyl, halogenated aryl, halogenated aralkyl, alkenyl, or an organic group bearing epoxy, acryloyl, methacryloyl, mercapto, amino or cyano, or a combination thereof; and R2 is alkoxy, acyloxy or a halogen atom].
(FR)La présente invention a trait à une composition qui permet de former des films de sous-couche de réserve lithographiques pouvant servir de masques durs. Cette composition permettant de former des films de sous-couche de réserve lithographiques contient, en tant que silane, un organosilane hydrolysable, un produit hydrolysé d'organosilane hydrolysable ou un condensat hydrolytique d'organosilane hydrolysable, ledit silane comportant un organosilane hydrolysable représenté par la formule (1) [où R3 est un groupe représenté par la formule (2), (3) ou (4) (où au moins un élément parmi R4, R5 et R6 est relié à l'atome de Si, soit directement, soit par l'intermédiaire d'un groupe de liaison) ; R1 est un alkyle, un aryle, un aralkyle, un alkyle halogéné, un aryle halogéné, un aralkyle halogéné, un alkényle, ou un groupe organique portant un groupe époxy, acryloyle, métacryloyle, mercapto, amino ou cyano, ou une combinaison de ceux-ci ; et R2 est un alkoxy, un acyloxy ou un atome d'halogène].
(JA)【課題】 ハードマスクとして使用できるレジスト下層膜を形成するためのリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 シランとして加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、又はその加水分解縮合物を含み、該シランが下記式(1):[(RSi(R(3-a)(R) 式(1)〔式中Rは式(2)、式(3)、又は式(4): (式中、R、R、及びRのうち少なくとも1つの基は直接に又は連結基を介してSi原子と結合しているものである。)で表される基を表し、Rはアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、ハロゲン化アラルキル基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、もしくはシアノ基を有する有機基、又はそれらの組み合わせを表す。Rはアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン原子を表す。〕で表される加水分解性オルガノシランを含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)