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1. (WO2012102119) VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/102119    International Application No.:    PCT/JP2012/050768
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 17.01.2012
IPC:
H01G 5/16 (2006.01)
Applicants: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIDA Koichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KONAKA Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NIWA Ryosuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIDA Junichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIDA Koichi; (JP).
KONAKA Yoshihiro; (JP).
NIWA Ryosuke; (JP).
YOSHIDA Junichi; (JP)
Agent: Kaede Patent Attorneys' Office; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Priority Data:
2011-012767 25.01.2011 JP
Title (EN) VARIABLE CAPACITANCE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À CAPACITÉ VARIABLE
(JA) 可変容量素子
Abstract: front page image
(EN)A variable capacitance element (1) comprises a movable beam (31A) and a support substrate (11). The movable beam (31 A) comprises capacitance-forming sections (34A to 34C), linking sections (33A to 33C), and a support section (32). The linking sections (33A to 33C) link the capacitance-forming sections (34A to 34C) and are thinner than the capacitance-forming sections (34A to 34C). The support section (32) is connected to the surface of the support substrate (11), and the support substrate (11) comprises an RF capacitance electrode (15B) and drive electrodes (15A, 15C) formed at the surface thereof. The capacitance-forming sections (34A to 34C) each face any one of the RF capacitance electrode (15B) and drive electrodes (15A, 15C), and stoppers (35) that project towards the support substrate (11) are provided in the peripheral edge section of the surface of the side of the capacitance-forming sections (34A to 34C) facing any one of the RF capacitance electrode (15B) and drive electrodes (15A, 15C).
(FR)La présente invention concerne un élément à capacité variable (1) comprenant un faisceau mobile (31A) et un substrat de support (11). Le faisceau mobile (31 A) comprend des sections de formation de capacité (34A à 34C), des sections de liaison (33A à 33C) et une section de support (32). Les sections de liaison (33A à 33C) relient les sections de formation de capacité (34A à 34C) et sont plus minces que les sections de formation de capacité (34A à 34C). La section de support (32) est connectée à la surface du substrat de support (11) et le substrat de support (11) comprend une électrode de capacité RF (15B) et des électrodes d'excitation (15A, 15C) formées à sa surface. Les sections de formation de capacité (34A à 34C) sont chacune tournées vers l'une quelconque de l'électrode de capacité RF (15B) et des électrodes d'excitation (15A, 15C), et des butées (35) faisant saillie en direction du substrat de support (11) sont disposées dans la section de bord périphérique de la surface du côté des sections de formation de capacité (34A à 34C) tournées vers l'une quelconque de l'électrode de capacité RF (15B) et des électrodes d'excitation (15A, 15C).
(JA) 可変容量素子(1)は、可動梁(31A)と、支持基板(11)とを備える。可動梁(31A)は、容量形成部(34A~34C)と、連結部(33A~33C)と、支持部(32)とを備える。連結部(33A~33C)は、容量形成部(34A~34C)を連結し、容量形成部(34A~34C)よりも薄く形成されている。支持基板(11)は、表面に支持部(32)が接続されており、表面に形成されたRF容量電極(15B)と、駆動電極(15A,15C)とを備える。容量形成部(34A~34C)は、それぞれ、RF容量電極(15B)と駆動電極(15A,15C)とのいずれかと対向しており、容量形成部(34A~34C)のRF容量電極(15B)と駆動電極(15A,15C)とのいずれかと対向している側の面における周縁部には、支持基板(11)側に突出するストッパ(35)が設けられている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)