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1. (WO2012101975) METHOD FOR MANUFACTURING Sn ALLOY BUMP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/101975    International Application No.:    PCT/JP2012/000217
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 16.01.2012
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), C25D 5/10 (2006.01), C25D 5/50 (2006.01), C25D 7/00 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 3-2, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (For All Designated States Except US).
HATTA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MASUDA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HATTA, Takeshi; (JP).
MASUDA, Akihiro; (JP)
Agent: TAKAOKA, Ryoichi; Takaoka IP Law Office, Ikebukuro Tosei Building, 5th Floor, 5-4-7, Nishi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1710021 (JP)
Priority Data:
2011-013661 26.01.2011 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING Sn ALLOY BUMP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE BOSSE EN ALLIAGE DE Sn
(JA) Sn合金バンプの製造方法
Abstract: front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing an Sn alloy bump, wherein composition of the Sn alloy bump can be easily controlled. The method for manufacturing an Sn alloy bump formed of an alloy composed of Sn and other one or more kinds of metals has: a step wherein an Sn layer (4a) is formed by electrolytic plating on an electrode pad (3) in a resist opening (2a), said electrode pad being formed on a substrate (1); a step wherein Sn and an alloy layer (4b) are laminated on the Sn layer (4a) by electrolytic plating; and a step wherein an Sn alloy bump (5) is formed by melting the Sn layer (4a) and the laminated alloy layer (4b) after removing a resist (2).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une bosse en alliage de Sn, la composition de la bosse en alliage de Sn pouvant être facilement contrôlée. Le procédé de fabrication d'une bosse en alliage de Sn constituée d'un alliage composé de Sn et d'un autre ou d'autres types de métaux présente : une étape au cours de laquelle une couche de Sn (4a) est formée par finition galvanique sur un coussin d'électrode (3) dans une ouverture de matière de protection (2a), ledit coussin d'électrode étant formé sur un substrat (1); une étape au cours de laquelle le Sn et une couche d'alliage (4b) sont stratifiés sur la couche de Sn (4a) par une finition galvanique; et une étape au cours de laquelle une bosse d'alliage de Sn (5) est formée par fusion de la couche Sn (4a) et de la couche d'alliage stratifiée (4b) après élimination d'une matière de protection (2).
(JA)Sn合金バンプの組成コントロールが容易なSn合金バンプの製造方法を提供する。Snと他の一種または二種以上の金属との合金で形成されたSn合金バンプの製造方法であって、基板1の上に形成されているレジスト開口部2a内の電極パッド3上にSn層4aを電解めっきにより形成する工程と、Sn層4a上にSnと合金層4bを電解めっきにより積層する工程と、レジスト2を除去した後にSn層4aと積層された合金層4bとを溶融してSn合金バンプ5を形成する工程とを有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)