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1. (WO2012101957) SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER PRODUCTION METHOD, AND ANNEALED WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/101957    International Application No.:    PCT/JP2012/000053
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 06.01.2012
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
QU, Wei Feng [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAHARA, Fumio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OOI, Yuuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGISAWA, Shu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: QU, Wei Feng; (JP).
TAHARA, Fumio; (JP).
OOI, Yuuki; (JP).
SUGISAWA, Shu; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Priority Data:
2011-011790 24.01.2011 JP
Title (EN) SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER PRODUCTION METHOD, AND ANNEALED WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PLAQUETTE RECUITE
(JA) シリコン単結晶ウェーハの製造方法及びアニールウェーハ
Abstract: front page image
(EN)The present invention is a silicon single-crystal wafer production method in which a silicon single-crystal wafer, obtained from a V-region silicon single-crystal ingot grown by the Czochralski method so as to have an oxygen concentration of less than 7 ppma and a nitrogen concentration of 1 × 1013 to 1 × 1014 atoms/cm3, is subjected to a 1- to 120-minute heat treatment at 1,150-1,300°C in a non-nitriding atmosphere. This makes it possible to provide a method in which an inexpensive IGBT-grade silicon single-crystal wafer is produced by using a V-region wafer produced by the CZ method, which is able to support large diameters, to remove defects in the bulk of the wafer and to achieve a distribution of in-plane resistivity equivalent to a case where neutron irradiation has been performed, without the need to perform the neutron irradiation.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de plaquette de silicium monocristallin. Ledit procédé comprend l'étape consistant à soumettre à un traitement thermique d'une durée de 1 à 120 minutes et à une température de 1 150 à 1 300 et dans une atmosphère non nitrurante, une plaquette de silicium monocristallin obtenue à partir d'un lingot de silicium monocristallin à région V tiré par la technique Czochralski de façon à présenter une concentration en oxygène inférieure à 7 ppma et une concentration en azote allant de 1 × 1013 à 1 × 1014 atomes/cm3. Ce procédé permet de produire de manière peu couteuse une plaquette de silicium monocristallin convenant à la fabrication de transistors IGBT à partir d'un lingot à région V obtenu par la technique CZ, convenant aux grands diamètres, supprimant les défauts dans la masse de la plaquette et dont la distribution de résistivité dans le plan est équivalente à celle obtenue avec l'irradiation par neutrons sans qu'il soit nécessaire de recourir à l'irradiation par neutrons.
(JA) 本発明は、チョクラルスキー法により育成されたV領域のシリコン単結晶インゴットから得られた酸素濃度7ppma未満、窒素濃度1×1013~1×1014atoms/cmのシリコン単結晶ウェーハに対して、非窒化性雰囲気下、1150~1300℃で、1~120分の熱処理を行うシリコン単結晶ウェーハの製造方法である。これによって、大口径に対応可能なCZ法で製造したV領域のウェーハを用いて、バルク中の欠陥を無欠陥とし、さらに中性子照射を行わなくても、中性子照射を行った場合と同程度の面内抵抗率分布とすることにより、IGBT向けに適用可能な低コストのシリコン単結晶ウェーハを製造する方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)