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Pub. No.:    WO/2012/101856    International Application No.:    PCT/JP2011/069085
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 24.08.2011
H01L 29/80 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
SAITOH Yu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKADA Masaya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
UENO Masaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIYAMA Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAITOH Yu; (JP).
OKADA Masaya; (JP).
UENO Masaki; (JP).
KIYAMA Makoto; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2011-013210 25.01.2011 JP
(JA) 窒化物半導体素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a heterojunction field effect transistor (1) comprising: a step for epitaxially growing a drift layer (20a) on a support substrate (10); a step for epitaxially growing a current-blocking layer (20b), which is a p-type semiconductor layer, on the drift layer (20a) at 1000°C or higher using hydrogen gas as a carrier gas; and a step for epitaxially growing a contact layer (20c) on the current-blocking layer (20b) using, as a carrier gas, at least one gas selected from the group consisting of nitrogen gas, argon gas, helium gas, and neon gas. This makes it possible to reduce drain leakage electric current and minimize any decrease in pinch-off characteristics because the acceptor concentration of the current-blocking layer (20b) is kept from becoming insufficient.
(FR)La présente invention a trait à un procédé permettant de fabriquer un transistor à effet de champ à hétérojonction (1), lequel procédé comprend : une étape consistant à procéder à la croissance épitaxiale d'une couche de migration (20a) sur un substrat de support (10) ; une étape consistant à procéder à la croissance épitaxiale d'une couche de blocage du courant (20b), qui est une couche semi-conductrice de type P, sur la couche de migration (20a) à une température supérieure ou égale à 1 000 °C à l'aide d'hydrogène gazeux utilisé en tant que gaz porteur ; et une étape consistant à procéder à la croissance épitaxiale d'une couche de contact (20c) sur la couche de blocage du courant (20b) en utilisant, en tant que gaz porteur, au moins un gaz sélectionné dans le groupe comprenant de l'azote, de l'argon, de l'hélium et du néon. De la sorte, il est possible de réduire le courant électrique de fuite de drain et de minimiser toute diminution des caractéristiques de pincement car la concentration de l'accepteur de la couche de blocage du courant (20b) est maintenue de manière à ne pas être insuffisante.
(JA) ヘテロ電界効果トランジスタ1の製造方法は、ドリフト層20aを支持基板10上にエピタキシャル成長させる工程と、水素ガスをキャリアガスとして用いて、p型半導体層である電流ブロック層20bをドリフト層20a上に1000℃以上でエピタキシャル成長させる工程と、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス及びネオンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種のガスをキャリアガスとして用いて、コンタクト層20cを電流ブロック層20b上にエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 これにより、電流ブロック層20bのアクセプタ濃度が不足することが抑制されているため、ドレインリーク電流を低減することが可能であり、ピンチオフ特性の低下を抑制することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)