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1. (WO2012101631) PHOTODIODE BEAM POSITION AND SIZE SENSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/101631    International Application No.:    PCT/IL2012/000039
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 24.01.2012
IPC:
H01L 31/105 (2006.01)
Applicants: OPHIR OPTRONICS SOLUTIONS LTD. [IL/IL]; Attn. Ilan Haber Science Based Industries Park Har Hotzvim P.O. Box 45021 91450 Jerusalem (IL) (For All Designated States Except US).
BENDER, Eliyahu [IL/IL]; (IL) (For US Only)
Inventors: BENDER, Eliyahu; (IL)
Agent: SECEMSKI, Ephraim; P.O. Box 4500 91044 Jerusalem (IL)
Priority Data:
61/457,180 24.01.2011 US
Title (EN) PHOTODIODE BEAM POSITION AND SIZE SENSOR
(FR) DÉTECTEUR À PHOTODIODES POUR DÉTERMINER LA POSITION ET LA DIMENSION D'UN FAISCEAU
Abstract: front page image
(EN)A photodiode detector for measuring beam power, impingement position and size. The detector has pairs of electrodes positioned at peripheral edges of a resistive surface of the detector, and an additional electrode positioned in the center of the resistive layer. The peripheral electrodes measure total power and beam position, and the central electrode additionally enables measurement of beam size. The voltage detected on the central electrode, when normalized for the power of the incident beam, provides a measure of the beam size, since the larger the beam, the less the Ohmic voltage developed on the electrode relative to the peripheral electrodes. The normalization to the power of the incident beam can be performed against the total sum of the currents collected from the peripheral electrodes, this summed current being proportional to the incident power. The voltage developed on the central electrode is proportional to the reciprocal of the beam diameter.
(FR)L'invention concerne un détecteur à photodiodes pour mesurer la puissance, la position d'incidence et la dimension d'un faisceau. Ledit détecteur comprend deux paires d'électrodes positionnées au niveau de bords périphériques d'une surface résistive dudit détecteur, ainsi qu'une électrode additionnelle positionnée au centre de la couche résistive. Les électrodes périphériques mesurent la puissance totale et la position du faisceau, l'électrode centrale permettant quant à elle de mesurer la dimension du faisceau. La tension détectée sur l'électrode centrale, lorsqu'elle est normalisée pour la puissance du faisceau incident, fournit une mesure de la dimension du faisceau, étant donné que plus le faisceau est grand, moins la tension ohmique passant de l'électrode centrale aux électrodes périphériques est importante. La normalisation de la puissance du faisceau incident peut s'effectuer à l'encontre de la somme totale des courants collectés à partir des électrode périphériques, ce courant cumulé étant proportionnel à la puissance incidente. La tension générée sur l'électrode centrale est proportionnelle à la réciproque du diamètre du faisceau.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)