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1. (WO2012101312) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A THERMOELECTRIC DEVICE AND RESULTING THERMOELECTRIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/101312    International Application No.:    PCT/ES2012/070041
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 25.01.2012
IPC:
H01L 35/32 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Applicants: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS [ES/ES]; C/ Serrano, 117 E-28006 Madrid (ES) (For All Designated States Except US).
UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE BARCELONA [ES/ES]; Campus de Bellaterra, s/n E-08193 Cerdanyola del Valles (Barcelona) (ES) (For All Designated States Except US).
MUÑOZ PASCUAL, Francesc Xavier [ES/ES]; (ES) (For US Only).
MAS COLOMINA, Roser [ES/ES]; (ES) (For US Only).
ABAD MUÑOZ, Libertad [ES/ES]; (ES) (For US Only).
RODRÍGUEZ VIEJO, Javier [ES/ES]; (ES) (For US Only).
ÁLVAREZ QUINTANA, Jaime [MX/ES]; (ES) (For US Only).
LOPEANDÍA FERNÁNDEZ, Aitor [ES/ES]; (ES) (For US Only)
Inventors: MUÑOZ PASCUAL, Francesc Xavier; (ES).
MAS COLOMINA, Roser; (ES).
ABAD MUÑOZ, Libertad; (ES).
RODRÍGUEZ VIEJO, Javier; (ES).
ÁLVAREZ QUINTANA, Jaime; (ES).
LOPEANDÍA FERNÁNDEZ, Aitor; (ES)
Agent: PONS ARIÑO, Ángel; Glorieta de Rubén Darío, 4 E-28010 Madrid (ES)
Priority Data:
P201130085 25.01.2011 ES
Title (EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A THERMOELECTRIC DEVICE AND RESULTING THERMOELECTRIC DEVICE
(ES) PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE UN DISPOSITIVO TERMOELÉCTRICO, Y DISPOSITIVO TERMOELÉCTRICO ASÍ OBTENIDO
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE AINSI OBTENU
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for the production of a thermoelectric device that uses the focused ion beam (FIB) technique to produce silicon nanowires having a rough interface. The thermoelectric device is formed by a planar structure compatible with CMOS technology, having networks of silicon nanowires distributed in arrays or matrices, said nanowires being thermally connected in parallel and electrically connected in series.
(ES)Permite evitar los efectos adversos de la resistencia térmica de contacto existente entre las regiones de nanohilos (30) y la zona de calefacción, consiguiendo así optimizar su rendimiento y eficiencia. Este dispositivo termoeléctrico está formado por una estructura (1) planar termoeléctrica, enteramente basada en silicio y compatible con tecnología CMOS, que presenta redes de nanohilos (30) de silicio fabricados a partir de técnicas de nanofabricación y distribuidos según "arrays" o matrices, estando dichos nanohilos (30) conectados térmicamente en paralelo y eléctricamente en serie. Procedimiento de fabricación de un dispositivo termoeléctrico que emplea la técnica del haz de iones focalizados (FIB) para fabricar nanohilos de silicio con una intercara rugosa. El dispositivo termoeléctrico está formado por una estructura planar compatible con tecnología CMOS, que presenta redes de nanohilos de silicio distribuidos según "arrays" o matrices, estando dichos nanohilos conectados térmicamente en paralelo y eléctricamente en serie.
(FR)Ce dispositif thermoélectrique permet d'éviter les effets négatifs de la résistance thermique de contact existant entre les régions de nanofils (30) et la zone de chauffage, et d'optimiser ainsi son rendement et son efficacité. Ce dispositif thermoélectrique est formé d'une structure thermoélectrique planaire (1) entièrement à base de silicium et compatible avec la technologie CMOS, qui présente des réseaux de nanofils (30) de silicium fabriqués par des techniques de nanofabrication et répartis de manière à former des groupements ordonnés ou des matrices, lesdits nanofils (30) étant reliés thermiquement en parallèle, et électriquement en série. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un dispositif thermoélectrique faisant appel à la technique des faisceaux d'ions focalisés (FIB) pour fabriquer des nanofils de silicium présentant une interface rugueuse. Le dispositif thermoélectrique est formé d'une structure planaire compatible avec la technologie CMOS, qui présente des réseaux de nanofils répartis en groupements ordonnés ou en matrices, lesdits nanofils étant reliés thermiquement en parallèle et électriquement en série.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Spanish (ES)
Filing Language: Spanish (ES)