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1. (WO2012101116) PHOTODIODE COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING IT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/101116    International Application No.:    PCT/EP2012/051033
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 24.01.2012
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: AMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten A-8141 Unterpremstätten (AT) (For All Designated States Except US).
TEVA, Jordi [ES/AT]; (AT) (For US Only).
SCHRANK, Franz [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Inventors: TEVA, Jordi; (AT).
SCHRANK, Franz; (AT)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Zusammenschluss Nr. 175 Ridlerstr. 55 80339 München (DE)
Priority Data:
102011009373.7 25.01.2011 DE
Title (DE) FOTODIODENBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) PHOTODIODE COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING IT
(FR) COMPOSANT À PHOTODIODE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Das Fotodiodenbauelement besitzt eine elektrisch leitfähige Kathodenschicht (3) an einer Fotodiodenschicht (4) aus einem Halbleitermaterial. Dotierte Anodenbereiche (5) befinden sind an einer von der Kathodenschicht abgewandten Oberseite der Fotodiodenschicht. Ein Graben (14) unterteilt die Fotodiodenschicht. Eine Leiterschicht (7) ist in oder an dem Graben angeordnet und verbindet die Kathodenschicht elektrisch leitend mit einem Kathodenanschluss (11). Anodenanschlüsse (12) sind elektrisch leitend mit den Anodenbereichen verbunden.
(EN)The photodiode component has an electrically conductive cathode layer (3) at a photodiode layer (4) composed of a semiconductor material. Doped anode regions (5) are situated at a top side of the photodiode layer facing away from the cathode layer. A trench (14) subdivides the photodiode layer. A conductor layer (7) is arranged in or at the trench and electrically conductively connects the cathode layer to a cathode connection (11). Anode connections (12) are electrically conductively connected to the anode regions.
(FR)L'invention concerne un élément à photodiode présentant une couche de cathode électroconductrice (3) sur une couche de photodiode (4) constituée d'un matériau semi-conducteur. Des zones d'anode dopées (5) se situent sur un côté supérieur de la couche de photodiode opposé à la couche de cathode. Une tranchée (14) divise la couche de photodiode. Une couche conductrice (7) est disposée dans la tranchée ou sur celle-ci et relie la couche de cathode de façon électroconductrice à un raccord de cathode (11). Des raccords d'anode (12) sont reliés de façon électroconductrice aux zones d'anode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)