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1. (WO2012100868) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/100868    International Application No.:    PCT/EP2011/071526
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 01.12.2011
IPC:
H01L 33/50 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HÖPPEL, Lutz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LINKOV, Alexander [RU/DE]; (DE) (For US Only).
MOOSBURGER, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TAEGER, Sebastian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAHN, Berthold [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HÖPPEL, Lutz; (DE).
LINKOV, Alexander; (DE).
MOOSBURGER, Jürgen; (DE).
TAEGER, Sebastian; (DE).
HAHN, Berthold; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Postfach 200734 80007 München (DE)
Priority Data:
10 2011 009 369.9 25.01.2011 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PUCE SEMICONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) angegeben, der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) und eine Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweist, und mit einer Konversionsschicht (2), die auf der Strahlungsaustrittsseite (1b) des Halbleiterschichtenstapels (1) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (2) weist ein Matrixmaterial und Konverterpartikel auf, die geeignet sind, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (1a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Matrixmaterial der Konversionsschicht (2) weist einen Brechungsindex auf, der an den Brechungsindex des Halbleiterschichtenstapels (1) angepasst ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) having a semiconductor layer stack (1), which has an active layer (1a) provided for generating radiation and a radiation discharge side (1b), and having a conversion layer (2), which is arranged on the radiation discharge side (1b) of the semiconductor layer stack (1). The conversion layer (2) comprises a matrix material and converter particles which are suitable for converting at least a portion of the radiation that is emitted by the active layer (1a) into radiation having a different wavelength. The matrix material of the conversion layer (2) has a refraction index that is adapted to the refraction index of the semiconductor layer stack (1). The invention further relates to a method for producing such a semiconductor chip (10).
(FR)L'invention concerne une puce semiconductrice (10) optoélectronique comportant un empilement de couches semiconductrices (1) comprenant une couche active (1a) destinée à la génération d'un rayonnement et un côté sortie de rayonnement (1b), ainsi qu'une couche de conversion (2) disposée sur le côté sortie de rayonnement (1b) de l'empilement de couches semiconductrices (1). La couche de conversion (2) comprend une matière matricielle et des particules de conversion qui sont aptes à convertir au moins une partie du rayonnement émis par la couche active (1a) en un rayonnement d'une autre longueur d'onde. La matière matricielle de la couche de conversion (2) présente un indice de réfraction adapté à l'indice de réfraction de l'empilement de couches semiconductrices (1). L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une puce semiconductrice (10) de ce type.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)