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1. (WO2012100501) RESISTANCE CONVERSION TYPE RANDOM MEMORY UNIT AND MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/100501    International Application No.:    PCT/CN2011/076681
Publication Date: 02.08.2012 International Filing Date: 30.06.2011
IPC:
H01L 45/00 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road Chaoyang District, Beijing 100029 (CN) (For All Designated States Except US).
HUO, Zongliang [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LIU, Ming [CN/CN]; (CN) (For US Only).
ZHANG, Manhong [CN/CN]; (CN) (For US Only).
WANG, Yanhua [CN/CN]; (CN) (For US Only).
LONG, Shibing [CN/CN]; (CN) (For US Only)
Inventors: HUO, Zongliang; (CN).
LIU, Ming; (CN).
ZHANG, Manhong; (CN).
WANG, Yanhua; (CN).
LONG, Shibing; (CN)
Agent: CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza No.1, Wangzhuang Rd. Haidian District, Beijing 100083 (CN)
Priority Data:
201110026944.2 25.01.2011 CN
Title (EN) RESISTANCE CONVERSION TYPE RANDOM MEMORY UNIT AND MEMORY DEVICE
(FR) UNITÉ DE MÉMOIRE ALÉATOIRE DE TYPE À CONVERSION DE RÉSISTANCE, ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE
(ZH) 阻变型随机存储单元及存储器
Abstract: front page image
(EN)A resistance conversion type random memory unit and a memory device are provided. The memory unit is constitutive of an upper electrode (2), a resistance conversion function layer, a middle electrode (4), a dissymmetrical tunnel barrier layer and a lower electrode (8), wherein the upper electrode (2), the resistance conversion function layer and the middle electrode (4) constitute a resistance conversion memory portion, and the middle electrode (4), the dissymmetrical tunnel barrier layer and the lower electrode (8) constitute a gating function portion; the middle electrode (4) is shared by them, and the gating function portion may locate above or below the resistance conversion memory portion; the dissymmetrical tunnel barrier layer consists of at least two kinds of materials having different height of barrier, to achieve rectifier modulation for forward and reverse tunnel current through the resistance conversion random memory unit.
(FR)La présente invention concerne une unité de mémoire aléatoire de type à conversion de résistance, ainsi qu'un dispositif de mémoire. L'unité de mémoire est constituée d'une électrode supérieure (2), d'une couche faisant fonction de conversion de résistance, d'une électrode médiane (4), d'une couche de barrière à effet tunnel dissymétrique, et d'une électrode inférieure (8). L'électrode supérieure (2), la couche faisant fonction de conversion de résistance, et l'électrode médiane (4) constituent une partie de mémoire à conversion de résistance. L'électrode médiane (4), la couche de barrière à effet tunnel dissymétrique, et l'électrode inférieure (8) constituent une partie faisant fonction de grille. L'électrode médiane (4) leur est commune, et la partie faisant fonction de grille peut se trouver au-dessus ou en dessous de la partie de mémoire à conversion de résistance. La couche de barrière à effet tunnel dissymétrique est constituée d'au moins deux sortes de matériaux présentant différentes hauteurs de barrière, afin de réaliser une modulation de redresseur pour courant tunnel direct et inverse à travers l'unité de mémoire aléatoire de type à conversion de résistance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)