WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2012100263) ABNORMALITY DETECTION ARCHITECTURE AND METHODS FOR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/100263    International Application No.:    PCT/US2012/022266
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 23.01.2012
IPC:
H01L 31/042 (2014.01)
Applicants: AMPT, LLC [US/US]; 4850 Innovation Drive Fort Collins, CO 80525 (US) (For All Designated States Except US).
LEDENEV, Anatoli [RU/US]; (US) (For US Only).
FULLER, Wesley, R. [US/US]; (US) (For US Only).
PORTER, Robert, M. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEDENEV, Anatoli; (US).
FULLER, Wesley, R.; (US).
PORTER, Robert, M.; (US)
Agent: WIEDMANN, Alfred, K.; Santangelo Law Offices, P.C. 125 South Howes, Third Floor Fort Collins, CO 80521 (US)
Priority Data:
61/435,148 21.01.2011 US
Title (EN) ABNORMALITY DETECTION ARCHITECTURE AND METHODS FOR PHOTOVOLTAIC SYSTEMS
(FR) ARCHITECTURE DE DÉTECTION D'ANOMALIE ET PROCÉDÉS POUR SYSTÈMES PHOTOVOLTAÏQUES
Abstract: front page image
(EN)One aspect of the inventive technology disclosed herein, in certain embodiments, may involve the determination of at least one measured, instantaneous intra-string current difference for each of the power generating string, and the use of such determinations to assess the existence of leakage current, a frequent ground fault predecessor, thereby enabling preclusion of a ground fault that would otherwise result. Certain methods and detection architecture may enable precise abnormality location, e.g., enabling the identification of which solar module assembly in particular is faulty. Another aspect relates generally, in certain embodiments, to detection circuit architecture operable to sequentially impress a leakage current inducing voltage upon each rail of a photovoltaic system. Another relates generally, in certain embodiments, to the use of at least one current interrupter at each end of a string to preclude flow therethrough in the event of, e.g., unintended field reversal.
(FR)Un aspect de la technologie inventive décrite ici, dans certains modes de réalisation, peut impliquer la détermination d'au moins une différence de courant instantanée entre branches mesurée pour chacune des branches de production de courant, et l'utilisation de ces déterminations pour évaluer l'existence d'un courant de fuite, qui précède fréquemment un défaut de mise à la terre, ce qui permet d'empêcher un défaut de mise à la terre qui se produirait sinon. Certains procédés et l'architecture de détection peuvent permettre de situer l'emplacement précis de l'anomalie, par exemple d'identifier quel ensemble de module solaire est particulièrement défaillant. Un autre aspect concerne généralement, dans certains modes de réalisation, une architecture de circuit de détection permettant d'imposer de manière séquentielle une tension induisant un courant de fuite sur chaque rail d'un système photovoltaïque. Un autre aspect concerne généralement, dans certains modes de réalisation, l'utilisation d'au moins un interrupteur de courant à chaque extrémité d'une branche pour l'empêcher d'être traversée par une circulation de courant en cas, par exemple, d'inversion magnétique involontaire.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)