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1. (WO2012099975) ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILM DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2012/099975    International Application No.:    PCT/US2012/021740
Publication Date: 26.07.2012 International Filing Date: 18.01.2012
IPC:
C23C 14/34 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
JIANG, Chong [US/US]; (US) (For US Only).
KWAK, Byung, Sung Leo [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: JIANG, Chong; (US).
KWAK, Byung, Sung Leo; (US)
Agent: DANIELSON, Mark, J.; Pillsbury Winthrop Shaw Pittman LLP P.O. Box 10500 McLean, VA 22102 (US)
Priority Data:
61/433,688 18.01.2011 US
Title (EN) ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILM DEPOSITION
(FR) DÉPÔT D'UN FILM D'OXYDE DE TUNGSTÈNE ÉLECTROCHROMIQUE
Abstract: front page image
(EN)A deposition method for electrochromic WOx films involves cyclic deposition of very thin poisoned and metallic tungsten oxide layers to build up a film with a desired general stoichiometry with x in the range of 3>x>2.75. The method may include: charging a deposition chamber with oxygen gas to poison a tungsten metal target; initiating sputtering of the target while reducing the oxygen partial pressure being supplied to the chamber and pumping the chamber; sputtering target for time t1 + t2 to form, first and second tungsten oxide layers, where the first layer is deposited during time ti from a poisoned target and the second layer is deposited during time t2 from a metallic target, and where the stoichiometry of the film comprising the first and second layers is a function of t1 and t2; and, repeating until a desired film thickness is achieved.
(FR)La présente invention a pour objet un procédé de dépôt pour des films électrochromiques de WOx impliquant un dépôt cyclique de très fines couches d'oxyde de tungstène empoisonnées et métalliques pour constituer un film ayant une stœchiométrie générale souhaitée avec x dans la gamme de 3 > x > 2,75. Le procédé peut comprendre les étapes consistant : à charger une chambre de dépôt en oxygène gazeux pour empoisonner une cible métallique en tungstène ; à initier la pulvérisation cathodique de la cible tout en réduisant la pression partielle en oxygène qui est fournie à la chambre et à pomper la chambre ; à effectuer une pulvérisation cathodique de la cible pendant un temps t1 + t2 pour former des première et seconde couches d'oxyde de tungstène, la première couche étant déposée pendant le temps t1 à partir d'une cible empoisonnée et la seconde couche étant déposée pendant le temps t2 à partir d'une cible métallique, et la stœchiométrie du film comprenant les première et seconde couches étant une fonction de t1 et de t2 ; et à répéter l'opération jusqu'à l'obtention d'une épaisseur de film souhaitée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)